时间：2025/12/26 12:17:19
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SBL1645PT是一款高性能的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用双二极管共阴极配置，封装形式为TO-277（DPAK）表面贴装封装。该器件由ONSEMI（安森美）公司生产，专为高效率、低功耗电源应用而设计。由于其低正向压降和快速开关特性，SBL1645PT广泛应用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、续流二极管以及极性保护电路中。该器件具有良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、消费电子和通信设备等多种领域。
SBL1645PT的设计优化了反向恢复时间和漏电流，在高频工作条件下表现出优异的性能。其共阴极结构允许两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极端子，便于在全波整流或双通道功率管理电路中使用。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-Free）特性，适合现代绿色电子产品制造要求。SBL1645PT能够在较高的结温下稳定运行，最大工作结温可达+150°C，确保在恶劣环境中的长期可靠性。
类型：肖特基势垒二极管
配置：双共阴极
最大重复峰值反向电压（VRRM）：45V
最大直流阻断电压（VR）：45V
最大平均整流电流（IO）：16A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A（8.3ms半正弦波）
最大正向压降（VF）：0.55V @ 8A, Tc=125°C
最大反向漏电流（IR）：2.0mA @ 45V, TJ=125°C
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
封装：TO-277（DPAK）
安装类型：表面贴装（SMD）
SBL1645PT的核心优势在于其低正向导通压降与出色的开关速度，这使其在能量转换过程中显著降低功耗并提高系统效率。其典型正向压降仅为0.55V，在8A的工作电流下相比传统快恢复二极管可大幅减少I2R损耗和热生成，从而允许更小的散热设计或实现更高的功率密度。这种低VF特性得益于肖特基势垒技术，即金属-半导体结结构，避免了PN结中存在的少数载流子存储效应，因而具备极快的开关响应能力，几乎无反向恢复时间（trr < 10ns），非常适合用于高频开关电源拓扑如同步整流、Buck/Boost转换器等。
该器件采用双共阴极配置，提供灵活的电路布局选项，特别适用于中心抽头变压器的全波整流应用或需要两个独立但对称整流路径的设计。其额定平均整流电流高达16A，表明其具备较强的持续电流处理能力，配合高效的TO-277封装，能够通过PCB焊盘有效散热，满足中大功率应用场景的需求。热性能方面，SBL1645PT具有较低的热阻（典型值约为1.5°C/W，具体取决于PCB布局），可在高负载条件下维持稳定的电气性能。
在可靠性方面，SBL1645PT经过严格的质量控制流程制造，具备优良的抗浪涌能力，能承受高达80A的非重复浪涌电流冲击，增强了系统在启动或异常工况下的鲁棒性。同时，其反向漏电流在高温环境下仍保持较低水平（最大2mA @ 45V, 125°C），有助于防止因漏电引起的功耗上升和热失控风险。整个器件工作温度范围宽达-65°C至+150°C，适应严苛的工业与汽车级应用环境。此外，产品符合AEC-Q101车规认证标准（如有标注版本），可用于车载电源系统。综合来看，SBL1645PT凭借其高效、可靠、紧凑的特点，成为现代高频率、高效率电源设计中的理想选择。
SBL1645PT常用于各类需要高效整流与快速响应的电源系统中。典型应用包括：开关模式电源（SMPS）中的输出整流级，特别是在低压大电流输出场景下发挥其低正向压降的优势；DC-DC转换器中作为续流二极管或同步整流辅助器件，提升整体转换效率；服务器电源、笔记本电脑适配器、LED驱动电源等消费类电子产品的功率管理模块；太阳能微逆变器中的防反接与能量回馈路径；电机驱动电路中的感性负载续流保护；以及电池充电管理系统中的隔离与保护单元。此外，该器件也适用于电信整流模块、工业自动化控制电源及汽车电子中的辅助电源（Auxiliary Supply）等领域。由于其表面贴装封装形式，SBL1645PT支持自动化高速贴片生产，适合大规模制造需求。
MBR1645PT
