时间：2025/12/26 10:11:22
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SBL1645CT是一款由ONSEMI（安森美）生产的高效率、双共阴极肖特基势垒整流二极管，专为高频开关电源应用设计。该器件采用TO-277封装（表面贴装型），具有紧凑的外形和优良的散热性能，适用于需要高电流密度和低正向压降的场合。SBL1645CT内部集成了两个独立的肖特基二极管，连接方式为共阴极结构，常用于中心抽头全波整流电路中，广泛应用于DC-DC转换器、开关模式电源（SMPS）、逆变器以及续流或箝位二极管等场景。
SBL1645CT的最大重复反向电压为45V，额定平均整流电流可达16A（在指定条件下），具备较低的正向导通压降（典型值约为0.52V至0.62V，取决于工作电流和温度），从而显著降低功率损耗并提高系统整体效率。其快速恢复特性使得它在高频环境下表现优异，避免了传统PN结二极管存在的反向恢复电荷问题，减少了开关噪声和电磁干扰。
该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性与可靠性，能够在-65°C到+125°C的结温范围内稳定工作。TO-277封装支持自动化贴片生产，适合现代高密度PCB布局需求。此外，SBL1645CT还具有较高的浪涌电流承受能力，增强了在瞬态负载变化下的鲁棒性。
最大重复反向电压（VRRM）：45V
最大RMS电压（VRMS）：32V
最大直流阻断电压（VDC）：45V
平均整流电流（IO）：16A
峰值非重复正向浪涌电流（IFSM）：150A
正向压降（VFM）@16A：≤0.70V（典型值约0.62V）
反向漏电流（IR）@45V, 25°C：≤0.5mA
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
封装类型：TO-277
引脚数：3
极性：双共阴极
热阻（RθJA）：≈35°C/W（依PCB设计而定）
安装方式：表面贴装
SBL1645CT的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种金属-半导体结结构消除了传统PN结二极管中的少数载流子存储效应，因而实现了近乎零的反向恢复时间（trr），极大降低了开关过程中的能量损耗和电压尖峰。这一特性使其特别适用于高频开关电源拓扑如同步整流、LLC谐振变换器和有源钳位反激式电源中。由于没有反向恢复电荷（Qrr），系统EMI水平更低，有助于满足严格的电磁兼容要求。
该器件的双共阴极配置允许在中心抽头变压器输出端实现全波整流，仅需两个引脚连接次级绕组两端，公共阴极为输出正极，简化了PCB布线并减少了元件数量。在16A连续工作电流下，其正向压降维持在较低水平（通常低于0.65V），有效减少导通损耗，提升能效，尤其在低压大电流输出的应用中（如12V转5V或3.3V的DC-DC模块）优势明显。
TO-277封装不仅体积小巧（相较于传统的TO-220AB或D2PAK），而且底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内层或底层，增强散热能力。这使得SBL1645CT即使在有限风冷或自然对流条件下也能可靠运行。同时，该封装兼容回流焊工艺，适应大规模自动化生产流程。
器件具备良好的热稳定性，在高温环境下反向漏电流增长较缓，确保长期工作的可靠性。其高浪涌电流耐受能力（达150A）可在启动或负载突变时提供足够的安全裕量，防止因瞬态过流导致失效。此外，产品通过AEC-Q101认证的可能性较高，适用于部分汽车电子应用环境。
SBL1645CT主要应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高效、低损耗整流方案的设计中表现出色。典型应用场景包括工业用DC-DC转换器、电信电源模块、服务器电源单元、便携式电源适配器以及太阳能微逆变器等设备。在这些系统中，它常被用作二次侧同步整流或非同步整流元件，特别是在工作频率高于100kHz的高频拓扑结构中发挥关键作用。
在基于中心抽头变压器的正激或反激式电源中，SBL1645CT可直接作为全波整流桥使用，替代四个分立二极管，大幅节省空间并降低热管理复杂度。其低正向压降特性对于提升低压大电流输出（例如5V/10A或3.3V/8A）的效率至关重要，能够有效减少发热，延长系统寿命。
此外，该器件也适用于电池充电电路中的防倒灌二极管、H桥驱动中的续流路径、电机驱动器中的箝位保护以及UPS不间断电源中的整流环节。由于其表面贴装封装形式，特别适合高密度、轻薄化电子产品设计，如嵌入式主板、网络交换机电源板和LED驱动电源等。在汽车电子领域，可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换模块等对效率和可靠性要求较高的场合。
SBF1645CT
SBR16U45SP5
MBR1645CT
SS1645
B340LB
