类型：双共阴极肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：35V
　　最大直流阻断电压（VR）：35V
　　平均整流电流（IO）：16A（每芯片）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：0.54V @ 8A, Tj=25°C；典型值0.48V @ 8A
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 25°C, 35V；5.0mA @ 125°C, 35V
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-277B（DPAK）
　　引脚数：3
　　热阻（RθJC）：约1.5°C/W（典型）
　　极性配置：双共阴极（Common Cathode）

SBL1635CT的核心优势在于其卓越的电学性能与高效的热管理能力相结合，使其成为中高功率密度电源设计中的理想选择。首先，该器件采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，在8A电流下典型值仅为0.48V，最大不超过0.54V（25°C），这一特性显著降低了导通损耗，提升了电源转换效率，尤其在低压大电流输出的应用中效果更为明显。相比传统的PN结二极管，肖特基结构没有少数载流子存储效应，因此具备近乎零的反向恢复时间（trr），几乎不会产生反向恢复电荷（Qrr），从而极大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提高了系统的动态响应能力和稳定性。
　　其次，SBL1635CT采用双芯片并联共阴极结构，每个芯片额定电流达16A，适用于高输出电流的同步整流替代方案或非对称半桥拓扑中。其TO-277B封装不仅体积小巧，便于布局紧凑的PCB设计，而且底部带有可焊接的散热片，能够通过PCB上的大面积铜箔将热量高效传导至外部环境，实现良好的热耗散效果。这种表面贴装封装还兼容标准SMT生产工艺，适合自动化组装流程，有助于提高生产效率和产品一致性。
　　再者，该器件具备出色的温度稳定性，即使在125°C高温环境下，反向漏电流仍控制在5mA以内，确保在恶劣工况下仍能可靠运行。同时，其高达150°C的最大结温允许在高温环境中长时间工作，满足工业、通信及部分车载电源系统的严苛要求。此外，SBL1635CT具有较强的抗浪涌能力，可承受高达150A的单次8.3ms半正弦浪涌电流，增强了系统对瞬态过载的容忍度，延长了使用寿命。最后，该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性认证（部分批次），支持无铅回流焊工艺，并提供无卤素选项，符合现代电子产品对环保和安全性的高标准要求。

SBL1635CT广泛应用于各类高效率开关电源系统中，尤其是在需要低电压、大电流输出的场合表现突出。常见应用包括服务器电源、电信设备电源模块、DC-DC降压变换器中的次级侧整流电路，以及便携式工业设备的嵌入式电源系统。由于其双共阴极结构特别适合用于带中心抽头变压器的全波整流拓扑，因此在LLC谐振转换器、正激式（Forward Converter）和推挽式（Push-Pull）电源中被广泛采用，作为主整流元件替代传统快恢复二极管以提升整体能效。
　　在笔记本电脑适配器、台式机ATX电源和LED驱动电源中，SBL1635CT可用于+12V或+5V输出端的整流环节，利用其低VF特性减少发热，提高轻载和满载条件下的转换效率。此外，在太阳能微逆变器、UPS不间断电源和电池充电管理系统中，该器件也常用于防止反向电流流动和提供续流路径，保障系统安全稳定运行。
　　得益于其良好的热性能和紧凑封装，SBL1635CT也适用于空间受限但功率密度要求较高的应用场景，如车载信息娱乐系统电源、车载充电机（OBC）辅助电源、工业电机驱动器的栅极驱动供电等。其高浪涌耐受能力使其在频繁启停或负载突变的环境中依然保持可靠工作。随着电力电子系统向更高效率、更小体积方向发展，SBL1635CT凭借其综合性能优势，已成为中等功率级别肖特基整流方案的重要选择之一。

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　　 "SB1635CT",
　　 "SBL1635",
　　 "MBR1635CT",
　　 "B340LB-13-F",
　　 "SD1635",
　　 "VS-SBL1635CT"
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