BUK545-200B 时间：2025/12/23 11:58:15 阅读：19

BUK545-200B 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，适用于高效率、高频率的开关应用。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理模块以及负载开关等场景。
　　BUK545-200B的工作电压高达200V，能够满足多种高压应用的需求，同时其优化的栅极电荷和低导通电阻特性使其在开关应用中表现出卓越的性能。

参数

最大漏源电压：200V
　　连续漏极电流：3.7A
　　导通电阻：1.6Ω
　　栅极电荷：19nC
　　开关速度：快速
　　封装形式：DPAK (TO-252)

特性

BUK545-200B是一款高性能的N沟道MOSFET，具有以下主要特性：
　　1. 高耐压能力：最大漏源电压为200V，适用于各种高压场景。
　　2. 低导通电阻：典型值仅为1.6Ω，在高电流条件下减少功率损耗。
　　3. 快速开关特性：得益于较低的栅极电荷（19nC），该器件能够在高频开关应用中提供高效的性能。
　　4. 热性能优越：DPAK封装提供了良好的散热能力，有助于提高整体系统可靠性。
　　5. 高可靠性：经过严格的制造工艺和质量控制流程，确保在恶劣环境下长期稳定运行。
　　这款器件非常适合需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子应用。

应用

BUK545-200B广泛应用于以下几个领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：包括AC-DC适配器、充电器和LED驱动器等。
　　2. DC-DC转换器：用于电压调节和电源管理。
　　3. 电机驱动：如家用电器中的小型电机控制。
　　4. 负载开关：在便携式设备中实现高效的负载切换。
　　5. 电池保护电路：用于过流和短路保护。
　　6. 工业自动化设备：例如可编程逻辑控制器（PLC）和其他高压控制电路。
　　其出色的电气特性和紧凑的封装形式使得该器件成为众多功率转换和控制应用的理想选择。