类型：共阴极双肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　平均整流电流（IO）：3A（每芯片）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：50A（8.3ms单半正弦波）
　　正向压降（VF）：典型值0.49V（在1.5A, TJ=25°C时），最大值0.58V（在3A, TJ=25°C时）
　　反向漏电流（IR）：最大200μA（在40V, TJ=25°C时），高温下不超过500μA（在40V, TJ=125°C时）
　　反向恢复时间（trr）：≤30ns（典型值）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJC）：约1.5°C/W（典型封装值）
　　封装：TO-277（S-PowerFLAT 3x3）

SBG3040CT的核心优势在于其优异的电学性能与紧凑的封装设计相结合，使其成为中低电压、大电流开关电源中的理想选择。首先，其低正向导通压降显著降低了功率损耗，在大电流工作条件下可有效减少发热，提高系统效率。例如，在3A电流下，其最大VF仅为0.58V，相比传统硅PN结二极管（通常VF在0.7V~1.2V之间）具有明显节能优势。这种低VF特性尤其适用于低压大电流输出的同步整流替代方案，即便无法完全取代MOSFET，也能在成本敏感型设计中提供高效且可靠的解决方案。
　　其次，该器件具备非常快的反向恢复时间（trr ≤ 30ns），远低于普通整流二极管（可能高达数百纳秒）。这一特性极大地减少了开关过程中的反向恢复电荷（Qrr），从而抑制了开关瞬态引起的电磁干扰（EMI）和电压尖峰，有助于提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。在高频DC-DC变换器中，如Buck、Boost或Flyback拓扑结构中，快速恢复能力可以避免能量浪费在反向导通上，进一步优化转换效率。
　　再者，SBG3040CT采用TO-277小型化表面贴装封装，尺寸仅为3mm x 3mm，底部带有裸露焊盘以增强散热性能。该封装支持自动化回流焊工艺，适用于现代高密度PCB布局，同时通过降低寄生电感和热阻，提升了器件在持续负载下的可靠性。此外，其共阴极双二极管结构允许两个独立但共用阴极的肖特基单元集成在一个封装内，非常适合全波整流或双路续流路径的应用场景，节省了布板空间并简化了电路设计。
　　最后，该器件经过严格的质量认证，具备高可靠性和长期稳定性。其宽泛的工作温度范围使其可在极端环境下稳定运行，无论是高温工业环境还是低温户外设备均能胜任。综合来看，SBG3040CT凭借其低功耗、高速度、小体积和高可靠性，已成为中小功率电源模块中不可或缺的关键元件之一。

SBG3040CT主要应用于各类需要高效、紧凑型整流与续流功能的电力电子系统中。最常见的用途包括DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器中的输出整流二极管或续流二极管，尤其是在输入电压较低（如12V或以下）且输出电流较大的情况下，其低正向压降优势尤为突出，有助于提升整体转换效率并减少散热需求。此外，在AC-DC反激式（Flyback）电源适配器中，SBG3040CT常被用于次级侧整流环节，替代传统的快恢复二极管，从而降低损耗并改善热管理。
　　在同步整流难以实现或成本受限的设计中，SBG3040CT提供了一种经济高效的替代方案，尤其适用于5W至60W范围内的离线式电源。它还广泛用于电池充电电路、LED驱动电源、USB供电模块（如PD/Type-C适配器）、便携式设备电源管理系统以及各类工业控制板上的电压钳位和反接保护电路。
　　由于其双共阴极结构，SBG3040CT也适用于双通道独立整流路径，例如在双输出电源或多相变换器中作为独立续流路径使用。此外，在电机驱动电路中，它可以作为感应负载产生的反电动势泄放路径（即“飞轮二极管”），防止电压反冲损坏开关器件。其快速响应能力和低损耗特性确保了系统在频繁开关操作下的稳定性和安全性。
　　在汽车电子领域，尽管SBG3040CT并非AEC-Q101认证器件，但在非车载动力总成的辅助电源模块中仍有应用潜力，特别是在对成本和空间敏感的消费类车载设备中。总之，凡是要求高效率、小尺寸和良好热性能的低压大电流整流场合，SBG3040CT都是一种极具竞争力的选择。

SR340
　　MBR340
　　SB340
　　B340LB
　　AP340A