时间：2025/9/6 7:31:47
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SBG1640CT-T 是一款由 Sanken（三研）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，适用于高功率和高频率应用。该器件具有低导通电阻和优异的热性能，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：40A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：28mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220AB
SBG1640CT-T MOSFET 的核心优势在于其出色的导通性能和热管理能力。其低导通电阻（RDS(ON)）显著减少了功率损耗，提高了系统效率。此外，该器件支持高电流负载，适用于需要高功率密度的设计。TO-220AB 封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，确保器件在高负载下稳定运行。
这款 MOSFET 还具备较高的耐压能力，漏源电压最高可达 60V，适用于多种电源转换和电机控制应用。其 ±20V 的栅源电压范围使其兼容多种驱动电路，增强了设计灵活性。此外，器件的高可靠性确保在苛刻的工作环境下也能长期稳定运行。
SBG1640CT-T 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制电路。由于其优异的导通特性和高电流能力，它也适用于需要高效能和紧凑设计的电池供电设备。
IRFZ44N, FDP6030L, Si4410DY
