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SBF5089Z 发布时间 时间:2025/8/16 9:20:36 查看 阅读:19

SBF5089Z 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为需要高效率、快速开关和低导通电阻的应用而设计。SBF5089Z 采用了先进的沟槽技术,使其在高电流和高电压条件下仍能保持出色的性能。这款 MOSFET 常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、电池充电器和各种开关电源应用中。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电流(ID):100A
  最大漏源电压(VDS):55V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):10.5mΩ @ VGS = 10V
  栅极电荷(Qg):160nC
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:TO-220 或 D2PAK(取决于具体型号后缀)

特性

SBF5089Z MOSFET 具备多项优异特性,确保其在复杂应用中的稳定性和高效性。
  首先,其低导通电阻(RDS(on))特性使其在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提高整体系统的效率。10.5mΩ 的 RDS(on) 值在 VGS = 10V 时表现优异,适用于高功率密度设计。
  其次,该器件具有较高的电流承载能力,额定漏极电流可达 100A,适用于高功率开关应用。同时,其最大漏源电压为 55V,适合中等电压应用,如汽车电子、工业控制和电源管理系统。
  此外,SBF5089Z 的栅极电荷(Qg)为 160nC,这在高频开关应用中尤为重要。较低的 Qg 值意味着更快的开关速度和更低的开关损耗,有助于提高转换效率并减少热量产生。
  其封装形式(如 TO-220 或 D2PAK)提供良好的热管理和机械稳定性,确保在高温环境下仍能可靠运行。这些封装形式也便于焊接和安装,适合多种 PCB 设计场景。
  最后,该器件的工作温度范围从 -55°C 到 175°C,表现出良好的温度适应性,适用于恶劣环境条件下的应用。

应用

SBF5089Z 主要应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。
  在电源管理领域,该器件常用于同步整流器、DC-DC 转换器和负载开关电路。由于其低导通电阻和高电流能力,非常适合用于高效率电源模块的设计。
  在工业控制系统中,SBF5089Z 可作为电机驱动器的功率开关元件,用于控制直流电机的启停和调速。它也可以用于逆变器和UPS系统中,以提高系统的整体效率和可靠性。
  此外,该器件在汽车电子系统中也有广泛应用,例如电池管理系统(BMS)、车载充电器和电动助力转向系统(EPS)。其宽工作温度范围和高可靠性使其特别适合车载环境。
  在可再生能源领域,SBF5089Z 可用于太阳能逆变器和风能转换系统中的功率开关,以提高能源转换效率。
  最后,该器件也可用于高功率 LED 驱动器、工业自动化设备和智能家电等应用,满足多种高功率开关控制需求。

替代型号

IRF1405, IPW60R017C7, FDP8870, STP100N55FZ

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