SBDF20H200CT 是一款高性能的碳化硅 (SiC) 双向肖特基二极管,广泛应用于高频、高效率的功率转换场景。该器件具有低正向电压、快速恢复时间以及出色的温度稳定性,非常适合用于开关电源、逆变器和电机驱动等应用。
该器件采用了先进的碳化硅技术,相较于传统硅基二极管,能够显著降低开关损耗并提升系统效率。其封装形式通常为 TO-247 或类似的行业标准封装,便于安装和散热管理。
最大反向电压:200V
正向电流(峰值):20A
正向电压降:≤1.5V(典型值 1.2V @ 20A)
结电容:30pF(典型值)
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
热阻(结到壳):0.4 K/W
存储温度范围:-55℃ 至 +175℃
SBDF20H200CT 的主要特点是采用了碳化硅材料,这使其具备了卓越的电气性能。
1. 极低的正向电压降,有助于减少导通损耗。
2. 快速的开关速度,确保在高频工作条件下保持高效率。
3. 良好的高温性能,能够在高达 175℃ 的结温下稳定运行。
4. 双向设计,允许在单个封装内实现双向电流传输,节省空间并简化电路设计。
5. 高可靠性,适合各种恶劣环境下的工业应用。
此外,由于其高效的热管理和坚固的封装结构,该器件非常适合要求苛刻的功率电子系统。
SBDF20H200CT 主要应用于需要高效功率转换的领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的整流和续流二极管。
2. 光伏逆变器中的高频整流。
3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器及电机控制器。
4. 工业电机驱动器和不间断电源 (UPS) 系统。
5. 通信电源和服务器电源中的功率因数校正 (PFC) 电路。
这款器件凭借其高效率和耐高温能力,在这些应用中表现出色,能够有效降低能量损耗并提高整体系统的可靠性。
STMicroelectronics - SCT20N200,
Rohm - SCS200AG,
Cree - CSD20200