容量：256Kbit
　　组织结构：32K x 8
　　访问时间：55ns
　　工作电压范围：3.3V ± 0.3V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　最大工作频率：约18MHz
　　输入/输出电平：兼容TTL
　　电流消耗（典型值）：100mA（待机模式下可降至10mA）

GM76C256CL-55W具有出色的性能和可靠性，采用了先进的CMOS技术以确保低功耗运行。该芯片的高速访问时间为55纳秒，使得它能够在高频环境下快速响应。此外，其宽广的工作温度范围使其适合在各种苛刻的环境中使用。该SRAM还具备简单的接口设计，便于与多种主控设备连接，并支持异步操作模式，增强了系统灵活性。
　　该器件在电源管理方面也表现出色，在未激活状态下自动进入低功耗模式，有效延长了电池供电系统的使用寿命。此外，它的数据保持功能可在低电压条件下维持存储内容，提高了系统的稳定性。GM76C256CL-55W还具有良好的抗干扰能力和较高的噪声抑制能力，适用于复杂电磁环境中的应用。

该芯片广泛应用于网络通信设备、工业控制系统、嵌入式系统以及测试测量仪器等场景。例如，在路由器或交换机中用于高速缓存数据；在PLC控制器或其他自动化装置中作为临时存储单元；在便携式电子设备中作为缓冲区以提高处理效率。此外，由于其工业级温度范围和高可靠性，GM76C256CL-55W也可用于航空航天和军事领域的关键系统中。

ISSI IS62LV256AL-55WALL、Microchip 23K256-I/P、ON Semiconductor MCM256ABZ-55