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SBDD20100CT 发布时间 时间:2025/8/16 20:21:12 查看 阅读:2

SBDD20100CT是一款表面贴装双肖特基势垒二极管,专为高效能和高频率整流应用而设计。该器件采用了先进的肖特基技术,提供低正向压降和快速开关特性,非常适合用于电源转换、整流和续流电路中。SBDD20100CT采用TO-277封装,便于表面贴装,具有良好的热性能和可靠性。

参数

最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
  最大平均正向电流(IF(AV)):2x2A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):60A
  正向压降(VF):最大0.45V @ IF=2A
  反向漏电流(IR):最大0.5mA @ VR=100V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  存储温度范围:-65°C 至 +175°C

特性

SBDD20100CT的主要特性之一是其极低的正向压降,这在高电流条件下显著降低了导通损耗,提高了系统效率。由于肖特基二极管的结构特性,该器件具有极快的开关速度,几乎无反向恢复时间,从而减少了开关损耗,非常适合高频应用。
  此外,SBDD20100CT采用双二极管设计,可以在多种电路拓扑中灵活使用,例如在同步整流、DC-DC转换器或电源续流应用中。其表面贴装TO-277封装提供了良好的散热性能,能够在高功率密度应用中保持稳定工作。
  该器件还具有高浪涌电流承受能力,使其在瞬态条件下具有更高的可靠性。工作温度范围广泛,可在极端环境条件下稳定运行,适用于工业控制、电源系统、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等应用。

应用

SBDD20100CT广泛应用于各类电力电子设备中,特别是在需要高效率和高频工作的场合。常见的应用包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、同步整流模块、负载开关、电池充电器、光伏逆变器以及电动汽车充电系统等。
  在同步整流电路中,SBDD20100CT可以与MOSFET配合使用,提高转换效率并减少发热。此外,该器件也可用于电机驱动电路中的续流二极管,以保护开关器件免受反向电压损坏。
  由于其高可靠性和紧凑的封装设计,SBDD20100CT也适用于空间受限的便携式设备和高密度电源模块。

替代型号

SBDD20100CT的替代型号包括SBDD2045CT、SBDD2060CT以及类似的双肖特基二极管如MBRD2100CT、DSBD2-100。

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