时间：2025/6/22 7:56:57
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SBDB20H200CTB是一种高性能的双通道功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。这款芯片通过优化的工艺设计实现了较低的导通电阻和较高的效率，同时具备出色的热性能和电气特性。该器件采用TO-263封装形式，能够满足多种工业应用的需求。
SBDB20H200CTB由两个N沟道MOSFET组成，每个MOSFET都具有独立的栅极和源极引脚，适合用于半桥电路以及其他需要双晶体管的应用场景。其高可靠性和稳定性使其成为许多大功率电子系统中的理想选择。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：20A
导通电阻（典型值）：180mΩ
栅极电荷：35nC
总热阻（结到壳）：1.5°C/W
工作温度范围：-55°C至+150°C
SBDB20H200CTB的主要特性包括：
1. 双通道设计，适用于半桥拓扑结构和其他双晶体管应用场景。
2. 高耐压能力（200V），可适应各种高电压环境下的工作需求。
3. 极低的导通电阻（180mΩ），有效减少功耗并提升系统效率。
4. 较小的栅极电荷，有助于实现快速开关操作，降低开关损耗。
5. 支持宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），保证在极端条件下的稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
7. TO-263封装形式，提供良好的散热性能和机械强度。
SBDB20H200CTB适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 工业自动化设备中的电机驱动控制。
3. 电动车窗、座椅调节等汽车电子系统的负载切换。
4. LED照明驱动电路中的功率管理。
5. 各类家用电器中的功率调节与保护。
6. 半桥逆变器和DC-DC转换器的核心组件。
凭借其优异的性能和可靠性，SBDB20H200CTB已成为众多高功率应用的理想解决方案。
IRFZ44N
FDP17N10
STP20NF20
