时间：2025/7/4 2:25:34
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SBD30120TCTB是一款基于碳化硅（SiC）技术的肖特基二极管。该器件具有低正向压降和快速恢复时间的特点，非常适合用于高频开关电路和功率转换应用。它能够在高电压和大电流条件下高效运行，同时保持较低的功耗。
型号：SBD30120TCTB
最大反向电压：1200V
正向额定电流：30A
正向电压（典型值@25°C）：1.45V
反向漏电流（最大值@25°C）：100μA
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
SBD30120TCTB采用碳化硅材料制造，具备优异的电气性能。它的低正向压降能够有效减少导通损耗，从而提高整体效率。
此外，该器件具有非常短的反向恢复时间，通常小于50ns，这使得它在高频应用中表现出色。
其高温性能也非常突出，可以在高达+175°C的结温下可靠运行，这对于工业和汽车领域中的恶劣环境尤为重要。
SBD30120TCTB还具有出色的浪涌电流能力，能够在短时间内承受超过额定值的大电流冲击而不损坏。
这款肖特基二极管广泛应用于各种电力电子设备中，例如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、DC-DC转换器和电动汽车充电系统。
由于其高频特性和高效率，SBD30120TCTB特别适合用作同步整流器、功率因数校正（PFC）电路以及高频DC-AC逆变器的核心元件。
此外，在需要高压保护的场合，如电能存储系统和电网连接设备，该器件也能发挥重要作用。
SBD30120TCTA
