类型：高频开关二极管
　　材料：硅（Si）
　　最大正向电流（IF）：100 mA
　　最大反向电压（VR）：75 V
　　反向击穿电压（VBR）：80 V（最小）
　　正向电压降（VF）：1.3 V（@10 mA）
　　反向电流（IR）：100 nA（@25°C，75 V）
　　结电容（Cj）：0.4 pF（@1 MHz，0 V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-523

1SS387 8K/R 的核心特性之一是其极低的结电容（Cj），仅为0.4 pF，这使其在高频环境下具有出色的响应能力，适用于高达GHz级别的射频开关和调制电路。其正向电压降为1.3 V（在10 mA条件下），属于标准硅二极管水平，能够保证稳定的导通性能。
　　此外，该器件的快速恢复时间确保了在高频开关操作中能够有效减少信号失真和功率损耗。反向电流非常低，仅100 nA（在75 V条件下），有助于保持电路在高压环境下的稳定性。
　　1SS387 8K/R 还具有良好的温度稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽温范围内正常工作，适用于工业级和通信级设备的需求。SOD-523封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，而且具备优良的焊接可靠性和热稳定性，适用于回流焊工艺。
　　该二极管广泛应用于射频信号切换、天线调谐、频率合成器、衰减器控制、射频功率放大器偏置电路等场景，是通信系统和射频前端模块中不可或缺的关键组件。

1SS387 8K/R 主要用于高频射频电路中的开关控制，例如在无线通信系统、射频收发模块、卫星通信设备、雷达系统、测试与测量仪器中作为射频信号路径切换元件。此外，该器件还可用于天线调谐电路、频率合成器、衰减器、射频放大器的偏置控制等应用场景。其低电容和快速恢复特性使其特别适合于高频率信号处理和高频开关操作，是射频前端设计中常用的高频开关二极管。

1SS387-R, 1SS387, BAR64, BB131, BB132