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EEEFK1C101AP 发布时间 时间:2025/6/22 13:02:57 查看 阅读:3

EEEFK1C101AP 是一款由 TDK 生产的积层陶瓷电容器 (MLCC),属于 C0G (NP0) 温度特性系列。该型号主要应用于高频电路中,具有极高的稳定性和低损耗特点,适合对温度系数和频率响应要求较高的场景。
  这种电容器采用先进的多层陶瓷技术制造,具备体积小、容量稳定以及抗干扰能力强的特点。其典型应用场景包括滤波器、耦合/去耦电路以及高精度振荡电路等。

参数

容量:10pF
  额定电压:50V
  尺寸:0402英寸 (1.0mm x 0.5mm)
  温度特性:C0G (NP0)
  公差:±0.3pF
  直流偏置特性:不显著(适用于 C0G 类型)
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃

特性

EEEFK1C101AP 的核心特性在于它的温度稳定性及低损耗性能。C0G 温度补偿特性的使用确保了电容值在宽广的工作温度范围内几乎不会发生变化(温度系数为 0 ppm/℃)。此外,它还表现出非常低的介质损耗 (tan δ),这对于射频和微波应用尤为重要。
  同时,由于其小型化封装设计,这款 MLCC 非常适合空间受限的 PCB 设计,并且可以轻松集成到自动化贴片流程中。
  另外,与 X7R 或 Y5V 等其他类型相比,EEEFK1C101AP 在高频下的性能更加优越,尤其是在阻抗匹配和信号调理电路中。

应用

EEEFK1C101AP 广泛用于需要高精度和稳定性的电子设备中,具体包括:
  1. 射频模块中的滤波和匹配网络
  2. 振荡电路中的负载电容
  3. 数据转换器 (ADC/DAC) 的电源去耦
  4. 高速数字电路中的旁路电容
  5. 医疗设备、工业控制以及通信系统中的关键节点
  由于其优异的电气性能和可靠性,该型号特别适合航空航天、汽车电子以及高性能计算等领域。

替代型号

C0603C100J5GACTU
  GRM1555C1H100JA01D
  DMC0GA1C101ANP

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EEEFK1C101AP参数

  • 安装类型表面
  • 容差±20%
  • 容差 正+20%
  • 容差 负-20%
  • 寿命时间2000h
  • 封装/外壳D
  • 尺寸6.3 Dia. x 5.8mm
  • 引线直径0.65mm
  • 引线节距1.8mm
  • 最低工作温度-55°C
  • 最高工作温度+105°C
  • 泄漏电流16 μA
  • 电压16 V
  • 电容值100μF
  • 直径6.3mm
  • 纹波电流240mA
  • 结构金属罐
  • 高度5.8mm