最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大平均正向电流（IF(AV)）：1A
　　峰值正向电流（IFSM）：30A（@t=8.3ms）
　　正向压降（VF）：0.28V（@IF=1A，Tamb=25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA（@VR=100V，Tamb=25°C）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DO-214AA（SMB Flat）

SBD110D1 的核心特性在于其肖特基结构所带来的低正向压降和快速恢复时间。相比传统硅二极管，SBD110D1 的正向压降低至 0.28V，在 1A 的工作电流下显著减少了导通损耗，提高了电源转换效率。该器件的反向漏电流在 100V 的反向电压下仅为 0.1mA，表现出良好的阻断能力。
　　此外，SBD110D1 具有优异的热稳定性和高可靠性，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于高温环境下的电源系统。其 DO-214AA 封装设计紧凑，便于 PCB 布局，并具有良好的散热性能。
　　该器件的峰值正向电流可达 30A，能够承受瞬态高电流冲击，适用于需要瞬态保护的应用场景。SBD110D1 还具有快速的开关特性，适用于高频整流和开关电源中的续流和隔离电路。

SBD110D1 广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要高效率和快速开关特性的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）中的整流和续流二极管、DC-DC 转换器、电池充电器、逆变器和不间断电源（UPS）系统。
　　由于其低正向压降和高电流能力，SBD110D1 也常用于电源管理系统中的负载隔离和极性保护。此外，它还适用于汽车电子系统、工业控制设备和消费类电子产品中的电源模块设计。
　　在高频电路中，SBD110D1 可用于射频（RF）检波器和高速开关电路。其快速恢复时间和低电容特性使其在数字电路中的信号整流和保护电路中表现出色。

1N5819, SB1100, 1N5817