时间：2025/9/19 14:29:21
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SBD10C45F是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的肖特基二极管，专为高效率、高频整流应用而设计。该器件采用平面硅技术制造，具有低正向电压降和快速开关特性，适用于多种电源转换和保护电路中。SBD10C45F的额定平均正向电流为10A，反向重复峰值电压为45V，这使得它在低压大电流应用场景下表现出色，如DC-DC转换器、续流二极管、极性保护电路等。该器件封装于紧凑且热性能良好的TO-220AB或类似功率封装中，便于安装在散热器上以实现高效散热。SBD10C45F符合RoHS环保标准，并具备良好的抗浪涌能力，能够在瞬态负载条件下保持稳定工作。其低功耗特性和高可靠性使其成为工业控制、消费电子、通信设备及汽车电子等领域中的理想选择。此外，由于其无反向恢复电荷的特性，能够显著减少开关损耗，提升系统整体能效。
类型：肖特基二极管
配置：单只
平均整流电流：10 A
反向重复峰值电压：45 V
正向压降：最大0.57 V（典型值约0.52 V，测试条件为IF = 10 A, TJ = 125°C）
反向漏电流：最大3.0 mA（测试条件为VR = 45 V, TJ = 125°C）
工作结温范围：-65 °C 至 +175 °C
存储温度范围：-65 °C 至 +175 °C
热阻结至壳：2.0 K/W
封装形式：TO-220AB
安装类型：通孔
SBD10C45F作为一款高性能肖特基势垒二极管，其核心优势在于极低的正向导通压降与零反向恢复时间，这两项特性共同决定了其在高频开关电源环境下的卓越表现。在典型的10A工作电流下，其正向压降仅为0.52V左右，在高温运行时也仅上升至0.57V以内，这意味着导通损耗远低于传统PN结二极管，从而有效降低系统温升并提高能量转换效率。
该器件的反向耐压为45V，虽不属于高压范畴，但恰好覆盖了常见低压直流系统的电压等级，例如12V、24V和36V供电系统，因此广泛应用于服务器电源、LED驱动电源、电池充电管理以及太阳能板旁路保护等场景。由于没有少数载流子储存效应，SBD10C45F在关断过程中不会产生反向恢复电流尖峰，避免了由此引发的电磁干扰（EMI）问题和额外的开关损耗，这对提升电源系统的EMC性能至关重要。
此外，该器件可在高达+175°C的工作结温下持续运行，展现出优异的热稳定性与长期可靠性。其TO-220AB封装不仅具备良好的机械强度，还提供了较低的热阻路径（2.0 K/W），便于将热量传导至外部散热器，确保在高功率密度设计中仍能维持安全工作温度。器件对瞬态浪涌电流也有较强的承受能力，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。同时，产品通过AEC-Q101认证的可能性较高，可用于部分车载电子系统，如车载DC-DC变换器或发电机整流模块。
值得一提的是，SBD10C45F采用环保材料制造，符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对绿色制造的需求。其通孔安装方式便于手工焊接与维修，也适合自动化生产线使用，适应性强。总体而言，这款器件结合了低损耗、高可靠性和良好热管理能力，是中低电压、大电流整流应用中的优选方案。
广泛用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器中的输出整流级、续流二极管、极性反接保护电路、电池管理系统、太阳能光伏旁路二极管、UPS不间断电源、工业控制电源模块以及汽车电子中的低压整流单元。
STPS10H100CT, SB10U45, MBR10H60F
