时间：2025/8/13 16:41:19
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S-L2N7002SLT1G是一款由ON Semiconductor生产的双N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供卓越的性能和可靠性。S-L2N7002SLT1G通常用于高频率开关和负载管理应用，其双MOSFET结构使其非常适合用于需要并联操作或双向控制的场合。该器件采用小型SOT-23（SC-59）封装，适用于各种便携式电子设备和空间受限的设计。
类型：MOSFET（双N沟道）
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：110mA（每个通道）
导通电阻（RDS(on)）：3.5Ω（最大值，VGS=4.5V）
阈值电压（VGS(th)）：0.8V至1.5V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-23（SC-59）
S-L2N7002SLT1G MOSFET具有多项显著特性。首先，其双N沟道设计允许在单个封装中实现两个独立的MOSFET，节省了PCB空间并简化了电路布局。该器件的低导通电阻（RDS(on)）确保了高效的功率传输，同时减少了导通损耗。S-L2N7002SLT1G的栅极电荷（Qg）较低，使其适用于高频开关应用。此外，该器件的阈值电压较低，使其能够在较低的栅极驱动电压下工作，从而提高能效。S-L2N7002SLT1G还具备良好的热稳定性和过载能力，确保在各种工作条件下可靠运行。该MOSFET的SOT-23封装形式提供了优良的散热性能，适用于高密度和高可靠性要求的设计。
S-L2N7002SLT1G MOSFET广泛应用于多个领域，包括便携式电子产品、电池供电设备、负载开关和信号路由电路。其双MOSFET结构使其特别适合用于需要双向控制或并联操作的应用，如H桥电路和电机控制。此外，该器件还可用于电源管理、DC-DC转换器和LED驱动电路。由于其高频响应特性，S-L2N7002SLT1G也常用于射频（RF）开关和信号处理应用。在汽车电子系统中，该MOSFET可用于传感器接口和执行器控制。
2N7002, BSS138
