时间：2025/5/15 17:09:01
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LBZT52B3V6T1G 是一款基于硅技术的瞬态电压抑制器（TVS），主要用于保护电子电路免受因静电放电（ESD）、电感负载开关以及其他瞬态现象引起的过电压损害。该器件具有低电容特性，适用于高速数据线路的保护。它符合 IEC 61000-4-2 国际标准，能够在不降低性能的情况下承受多次重复的 ESD 冲击。
这款 TVS 器件采用紧凑型封装，适合空间受限的应用场景，同时具备出色的钳位能力和低漏电流特性，从而确保被保护设备的稳定性和可靠性。
工作电压：6V
峰值脉冲功率：500W（@tp=10/1000μs）
最大反向工作电压：6V
击穿电压：7.2V
箝位电压：12.8V
最大泄漏电流：1μA（@VRWM）
电容：22pF（典型值）
响应时间：≤1ps
结温范围：-55℃至+150℃
1. 低电容设计，适合高速信号线保护。
2. 快速响应时间，能够有效抑制瞬态电压威胁。
3. 符合 IEC61000-4-2 标准，支持高达±15kV（空气放电）和±8kV（接触放电）的 ESD 防护。
4. 小型化 SOD-323 封装，节省 PCB 空间。
5. 可靠性高，支持多级重复冲击保护。
6. 宽温度范围适应性，适用于各种恶劣环境下的应用。
LBZT52B3V6T1G 广泛应用于需要快速响应和低电容特性的场合，具体包括：
1. USB 接口、HDMI 接口等高速数据线的保护。
2. 移动通信设备中的射频电路防护。
3. 工业自动化控制系统的输入/输出端口防护。
4. 汽车电子系统中的信号线防护。
5. 物联网设备中敏感电子元件的过压保护。
PESD5V0H1BA, LBZT52B3V3T1G
