时间：2025/7/5 0:20:16
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MA0402CG1R2C500 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率应用场景设计。该型号属于 enhancement 模式的 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管），具有低导通电阻和快速开关性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动器以及其他需要高性能开关的应用。
该器件采用小型化的封装形式，能够有效降低寄生电感，提升整体电路性能。其内置的保护功能进一步提升了产品的可靠性和应用范围。
型号：MA0402CG1R2C500
类型：GaN 功率晶体管
Vds（漏源电压）：650 V
Rds(on)（导通电阻）：1.2 mΩ
Id（连续漏极电流）：50 A
Qg（栅极电荷）：70 nC
Ciss（输入电容）：1350 pF
Coss（输出电容）：95 pF
Eoss（输出电荷能量）：28 nJ
RthJC（结至壳热阻）：0.2 ℃/W
封装：TO-247-3L
1. 极低的导通电阻（1.2 mΩ），能够显著减少导通损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高达 2 MHz 的工作频率，适合高频应用。
3. 内置过流保护和热关断功能，确保在异常条件下设备的安全运行。
4. 小型化封装设计，降低了寄生电感对 支持硬开关和软开关拓扑，具备较强的通用性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
MA0402CG1R2C500 广泛应用于各种高效率电力电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 服务器和通信电源中的 DC-DC 转换模块。
2. 太阳能逆变器的核心开关元件。
3. 电动车车载充电器及 DC-DC 转换器。
4. 工业电机驱动和伺服控制。
5. 快速充电适配器和其他消费类电子产品中的高效功率转换方案。
由于其优异的高频特性和低损耗表现，该芯片特别适合追求高效率和高功率密度的设计。
MA0402CG1R2C400, MA0402DG1R2C500, GA100-065D
