型号：SBD10C150F
　　类型：中心抽头肖特基势垒二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：150V
　　最大直流阻断电压（VR）：150V
　　平均整流电流（IF(AV)）：10A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：150A
　　最大正向压降（VF）：0.85V @ 10A, Tc=25°C
　　最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 150V, TJ=25°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AC
　　安装方式：通孔安装（Through Hole）

SBD10C150F的核心特性之一是其采用肖特基势垒技术，这种技术基于金属-半导体结而非传统的PN结，因此具有极低的正向导通压降和几乎可以忽略的反向恢复时间。这一特性使其在高频开关电源中表现出色，特别是在需要高能效和低热耗散的设计中。由于其正向压降典型值仅为0.85V左右，在10A电流下，单个二极管的导通损耗约为8.5W，远低于同等条件下的快恢复二极管或标准硅整流二极管。这对于提升电源整体效率、减少散热器尺寸以及增强系统可靠性具有重要意义。
　　另一个关键特性是其中心抽头结构，即在一个封装内集成了两个共阳极的肖特基二极管。这种设计特别适用于全波整流电路，尤其是中心抽头变压器次级侧的整流应用。相比使用两个独立的二极管，集成方案不仅节省了PCB空间，还简化了布局布线，提高了装配效率。同时，两个内部二极管在电气参数上具有一致性，确保了电流均衡分配，减少了因器件差异导致的热失衡问题。
　　SBD10C150F具有优良的热性能，TO-220AC封装允许通过外接散热器有效散热，从而支持长时间高负载运行。其最大结温可达175°C，表明其具备较强的耐热能力，适合在高温工业环境或密闭空间中使用。此外，该器件对瞬态过电流具有一定的承受能力，150A的峰值浪涌电流规格可应对开机瞬间的电容充电冲击，增强了系统的鲁棒性。
　　需要注意的是，肖特基二极管的反向漏电流相对较高，且随温度升高呈指数增长。在高温环境下，SBD10C150F的反向漏电流可能显著增加，影响待机效率或导致热失控风险，因此在实际应用中应充分考虑散热设计与工作环境温度控制。此外，其最大反向电压仅为150V，限制了其在更高电压系统中的使用，但在48V及以下的通信电源、工业控制电源中仍具有广泛适用性。

SBD10C150F广泛应用于各类中低电压、大电流的直流电源系统中，尤其适合需要高效率整流的高频开关电源（SMPS）。其最常见的应用场景包括AC-DC适配器、DC-DC转换器、服务器电源单元（PSU）、电信电源系统以及工业控制设备的供电模块。由于其150V的反向耐压和10A的整流电流能力，特别适用于输出电压在12V至48V之间的电源设计，例如数据中心的分布式电源架构或基站电源系统。
　　在带有中心抽头变压器的全波整流电路中，SBD10C150F能够替代两个分立的肖特基二极管，简化电路结构并提升可靠性。这类拓扑常见于反激式（Flyback）、正激式（Forward）或推挽式（Push-Pull）转换器中，尤其是在多路输出或高电流单路输出的设计中。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、逆变器和电池充电系统中的整流环节。
　　由于其低正向压降和快速响应特性，SBD10C150F还可用于防止反向电流的保护电路，例如在并联电源模块中作为防倒灌二极管使用。在太阳能充电控制器或LED驱动电源中，该器件也能发挥高效整流作用。其高结温能力和稳定的封装性能使其适用于工业自动化、户外通信设备等对环境适应性要求较高的场合。

SBT10C150P3F
　　SBD10C150FG