R3620DR-S 时间：2025/4/30 16:37:28 阅读：4

R3620DR-S 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，适合在要求高效能和小体积的应用场景中使用。
　　该器件为 N 沟道增强型 MOSFET，具有优异的电气特性和可靠性，能够有效降低系统功耗并提升整体效率。

参数

型号：R3620DR-S
　　类型：N沟道功率MOSFET
　　额定电压：60V
　　额定电流：180A
　　导通电阻：1.4mΩ（典型值）
　　栅极电荷：75nC（最大值）
　　开关频率：高达500kHz
　　封装形式：TO-247-3L
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

R3620DR-S 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，从而提高效率。
　　2. 高额定电流能力 (180A)，适用于大功率应用。
　　3. 快速开关特性，支持高频操作，满足现代电子设备对高效能的需求。
　　4. 出色的热稳定性，确保在高温环境下仍能保持良好的性能。
　　5. 紧凑的 TO-247-3L 封装，便于安装和散热设计。
　　6. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应各种恶劣环境条件。

应用

R3620DR-S 主要用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
　　2. DC-DC 转换器中的功率开关，如降压、升压和反激拓扑。
　　3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
　　4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
　　5. 新能源领域，例如太阳能逆变器和电动汽车充电模块。