SBA4086Z是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效率和高功率密度的电源管理系统中。该器件采用了先进的技术,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等应用场景。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):20V
最大连续漏极电流(Id):5.6A
导通电阻(Rds(on)):40mΩ(典型值)
最大功耗(Ptot):1.4W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220AB
引脚数:3
SBA4086Z具备多项优良特性,首先是其低导通电阻(Rds(on))仅为40mΩ,这显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。其次是其高电流承载能力,最大连续漏极电流可达5.6A,适用于中高功率应用。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定运行,避免热失控的发生。
该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的逻辑电平驱动,便于与微控制器或其他数字控制电路直接连接。SBA4086Z还具备快速开关特性,能够有效降低开关损耗,适用于高频开关电源应用。在封装方面,采用TO-220AB封装形式,具备良好的散热性能,适合在紧凑型电源设计中使用。
此外,SBA4086Z内置了一定的过载和短路保护能力,虽然不具备集成保护电路,但其坚固的结构设计使其在恶劣环境下仍能保持可靠运行。这些特性使其成为工业控制、消费类电子产品和汽车电子系统中的理想选择。
SBA4086Z常用于多种电源管理应用中,包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关控制、电机驱动电路、LED照明驱动器以及电池管理系统。在消费类电子产品中,它可用于便携式设备的电源管理模块,以提高能效并延长电池寿命。在工业自动化和电机控制领域,SBA4086Z可用于构建高效率的功率开关电路,实现对电机或执行器的精确控制。此外,该MOSFET还可用于汽车电子系统中的车载充电器、LED前照灯驱动器以及其他车载电源转换模块。
IPD5N03C4-03, FDP5N03AL, STD5N03L, STN5N03L