时间：2025/8/15 10:30:27
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SB840F 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能开关操作的电路中。该器件设计用于高电流、高电压的应用，如电源管理、马达控制和电池充电系统。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（Id）：80A
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.0045Ω（最大）
功耗（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
SB840F 具有低导通电阻（Rds(on)），确保在高电流条件下功率损耗最小化，提高整体系统效率。
它支持高达 80A 的漏极电流和 100V 的漏源电压，适用于高功率应用。
器件的栅源电压范围为 ±20V，提供了宽泛的栅极控制灵活性。
其封装设计（如 TO-220 或 D2PAK）有助于良好的散热性能，适用于需要高可靠性的工业环境。
该 MOSFET 还具备较高的耐用性和稳定性，可在极端温度条件下正常工作。
SB840F MOSFET 常用于电源转换器、DC-DC 转换器和电源管理模块，确保高效能的电源供应。
在马达驱动和控制电路中，它用于高电流的开关操作，提供稳定的性能。
此外，它适用于电池充电设备和太阳能逆变器，支持高效的能量转换。
该器件还可用于汽车电子系统，如车载充电器和电机控制单元，满足高可靠性和耐用性的需求。
IRF1405, STP80NF03L, FDP80N10
