时间：2025/6/17 12:22:51
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SBD30100TCTB是一种基于碳化硅（SiC）技术的肖特基势垒二极管（SBD）。该器件具有高耐压、低导通损耗和快速恢复的特点，非常适合高频开关电路中的整流和续流功能。其设计旨在满足工业电源、光伏逆变器、电机驱动等高效能应用的需求。
肖特基二极管因其正向压降低和无反向恢复电荷而被广泛用于功率转换系统中，尤其是要求高效率和高频操作的场景。SBD30100TCTB凭借碳化硅材料的独特性能，能够在高温环境下保持优异的稳定性。
额定电压：1000V
额定电流：30A
正向压降（典型值）：1.4V
反向漏电流（最大值）：50μA
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-2L
SBD30100TCTB采用碳化硅材料制造，相比传统硅基肖特基二极管具备以下显著优势：
1. 高耐压能力，适合高达1000V的工作环境。
2. 极低的正向压降，在大电流条件下减少功耗并提升系统效率。
3. 无反向恢复电荷，确保在高频开关电路中拥有更快的切换速度和更低的电磁干扰。
4. 良好的高温性能，允许在极端温度下可靠运行。
5. 封装坚固耐用，便于散热管理，适用于高功率密度的应用场景。
这些特性使SBD30100TCTB成为各类高频、高压功率变换设备的理想选择。
SBD30100TCTB广泛应用于需要高效功率转换的领域，包括但不限于：
1. 工业电源系统中的PFC（功率因数校正）电路。
2. 光伏逆变器内的DC/DC和DC/AC转换模块。
3. 电动汽车充电桩及车载充电机的高频整流部分。
4. 大功率电机驱动器中的续流二极管功能。
5. 不间断电源（UPS）和其他储能系统的能量管理组件。
其卓越的性能表现使其成为现代电力电子设备中的关键元件。
SBD20100C, SBD20100TC, CDB10120
