工作电压范围：10V ~ 30V
　　启动电流：<5μA
　　工作电流：约4mA（典型值）
　　最大占空比：约60%
　　开关频率：65kHz ± 10%
　　反馈控制方式：电流模式控制
　　软启动功能：内置
　　过温保护：有
　　过压保护：有
　　欠压锁定（UVLO）：启用阈值约16V/10V（迟滞）
　　封装类型：DIP-8、SOP-8
　　电流检测阈值：典型1V（前沿消隐后）
　　驱动输出能力：图腾柱输出，最高可驱动1.5A MOSFET
　　最大输出功率推荐：≤65W（连续输出）

SB820M采用了先进的电流模式控制架构，能够提供快速的负载响应和优异的线性调整率。其内置的前沿消隐电路（Leading Edge Blanking, LEB）有效避免了开关瞬态过程中电流检测信号的误触发，提升了系统稳定性。芯片内部集成了精确的参考电压源（通常为2.5V），用于反馈环路中的误差比较，确保输出电压的高精度调节。SB820M具备完善的多重保护机制，包括过流保护（OCP）、过压保护（OVP）、短路保护（SCP）以及过温保护（OTP）。当发生异常情况时，芯片可通过打嗝模式（Hiccup Mode）或锁存关断方式进行保护，防止损坏外围器件。
　　为了提高能效，SB820M在轻载条件下自动切换至突发模式（Burst Mode），通过降低开关频率和驱动损耗来实现极低的待机功耗，典型值可低于75mW，满足严格的绿色能源规范。此外，该芯片还支持可编程的软启动功能，限制上电瞬间的冲击电流，保护功率MOSFET和变压器不受应力损伤。频率抖动技术的应用使得EMI噪声频谱展宽，有效降低了传导和辐射干扰峰值，从而简化EMI滤波器设计，节省PCB空间和物料成本。SB820M的设计兼顾了性能与成本，在保证高可靠性的前提下，减少了对外部元器件的依赖，例如无需额外的光耦补偿电容即可实现稳定的环路响应。整体而言，SB820M适用于对成本敏感且要求高集成度、高效率和良好EMI性能的小功率开关电源设计。

SB820M广泛应用于多种小功率AC-DC电源转换场合，尤其适用于需要高效节能、体积紧凑且成本可控的消费类电子产品。典型应用包括手机充电器、平板电脑适配器、路由器电源、智能家居设备供电模块、LED照明驱动电源、机顶盒辅助电源、电动工具充电器以及各类家用电器中的嵌入式电源单元。由于其支持全电压输入范围，SB820M可在全球不同电网环境下稳定运行，适用于出口型电子产品设计。在反激式拓扑结构中，SB820M常与高压MOSFET配合使用，构成单端反激开关电源，实现电气隔离和多路输出。此外，该芯片也适用于恒压（CV）输出模式的电源设计，结合光耦和TL431等反馈元件，实现精确的输出电压调节。在工业领域，SB820M可用于小型传感器供电、继电器驱动电源等低功耗控制电路中。得益于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，SB820M在高温或电磁环境复杂的场景下仍能保持可靠运行。因此，无论是批量生产的消费电子产品还是定制化的小型电源模块，SB820M都是一种成熟可靠的PWM控制解决方案。

SG820M
　　OB2263
　　PN8135
　　TNY278