时间：2025/8/15 1:35:06
阅读：23
SB820D是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关特性。SB820D通常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高效率功率控制的电路中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A（Tc=25℃）
脉冲漏极电流：60A
导通电阻(Rds(on))：最大8.2mΩ（Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
SB820D具有多个关键特性，使其适用于高性能功率转换应用。首先，该器件具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这可以显著降低导通损耗并提高系统的整体效率。在Vgs=10V时，Rds(on)最大为8.2mΩ，这意味着即使在高电流条件下，功耗也能保持在较低水平。
其次，SB820D具备高电流处理能力，连续漏极电流可达18A，同时在脉冲条件下可承受高达60A的电流，这使其适用于需要瞬时高功率输出的应用，如电机驱动或电源管理模块。
此外，该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，提高了器件的稳定性和可靠性，适合在工业和汽车环境中使用。其TO-263（D2PAK）封装形式具有良好的热管理性能，便于安装在PCB上并实现有效的散热。
最后，SB820D的栅极驱动电压范围较宽，可在±20V范围内工作，提供了设计灵活性。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，从而进一步提高效率，特别适合高频开关应用。
SB820D主要应用于需要高效功率管理的场合。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机控制器、电源分配系统以及各种工业和汽车电子系统。在这些应用中，SB820D的低导通电阻和高电流能力使其成为提高效率和可靠性的理想选择。
在DC-DC转换器中，SB820D可作为高边或低边开关，其低Rds(on)特性有助于减小功率损耗并提升转换效率。在负载开关应用中，它能够提供快速的开关响应和低静态损耗，适用于便携式设备的电源管理。此外，在电池管理系统中，该器件可用于控制电池充放电路径，确保系统安全稳定运行。
在汽车电子领域，SB820D的高可靠性和宽工作温度范围使其适用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）、车载娱乐系统等。其封装形式也便于安装在空间受限的环境中，并提供良好的散热性能。
Si4410BDY, IRF7413PBF, FDS4410A, AO4406A
