时间：2025/8/14 13:30:37
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SB8150FCT是一款由ONSEMI（安森美半导体）推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高频率开关应用而设计。该器件适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等场景。SB8150FCT采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和较强的电流承载能力，是工业和消费类电子设备中常用的功率开关元件。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值）
封装类型：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C至175°C
功耗（Pd）：200W
SB8150FCT的主要特性包括优异的导通性能、低导通损耗以及良好的热稳定性。其低导通电阻（Rds(on)）可有效减少功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具备较高的耐压能力，能够在较高的电压环境下稳定工作。TO-263封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于PCB布局和自动化生产。
该MOSFET具有较强的电流承载能力，在高负载条件下仍能保持稳定运行，适用于需要高功率密度的设计。此外，其宽广的工作温度范围确保了在极端环境下的可靠运行，适用于工业级应用。
SB8150FCT的栅极设计优化，使得开关过程中的损耗降低，提高了高频应用中的性能表现。同时，其栅极驱动电压范围较宽，兼容多种驱动电路设计。
SB8150FCT广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高效率和高可靠性的特点，使其成为现代电源管理系统中的优选器件。
Si7461DP, IRF1010Z, IPB015N08NM5ATMA1
