制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：IR35411
　　拓扑结构：同步降压（Buck）
　　控制模式：Constant On-Time (COT) 控制
　　输入电压范围：4.5V 至 24V
　　输出电压范围：0.5V 至 1.8V（可通过PMBus扩展）
　　最大输出电流：支持高达100A以上（取决于MOSFET和电感选型）
　　开关频率：典型值可达1MHz以上（可调）
　　反馈参考电压：0.5V ±0.5%
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C（结温）
　　封装类型：3mm x 3mm QFN，20引脚
　　接口：PMBus 1.1兼容
　　调节方式：数字可编程
　　相位操作：单相控制器
　　集成驱动器：集成高侧与低侧MOSFET驱动
　　启动电压：最小4.5V
　　静态电流：典型值低于1mA（待机模式）

IR35411M具备多项先进特性，使其成为高端电源管理解决方案的理想选择。首先，它采用恒定导通时间（COT）控制架构，这种控制方式具有极快的瞬态响应能力，能够在负载突变时迅速调整占空比，显著减小输出电压的下冲或过冲幅度，从而提升系统稳定性。COT架构无需复杂补偿网络，降低了设计难度，并提升了环路稳定性。
　　其次，该控制器集成了高效的栅极驱动器，能够直接驱动上下桥臂的MOSFET，优化死区时间控制，减少开关损耗和体二极管导通带来的功率损失，从而提高整体能效。驱动器支持自适应非交越保护，避免高低侧MOSFET同时导通造成短路，进一步增强可靠性。
　　再者，IR35411M支持完整的PMBus 1.1协议，允许通过标准I2C总线实现全数字化配置与监控。用户可通过命令设置输出电压、软启动/停止斜率、电流限值、保护阈值等参数，并实时读取输出电压、电感电流、芯片温度等遥测信息，便于系统调试、老化测试和故障排查。这一功能特别适用于需要远程监控和动态调节的服务器和云计算平台。
　　此外，器件内置精准的电流检测电路，采用电感DCR或专用采样电阻实现无损或低损耗电流检测，支持准确的过流保护和均流控制（在多相并联应用中）。其内部算法可自动校准偏移，确保长期运行中的测量精度。
　　IR35411M还具备强大的保护机制，包括输入欠压锁定（UVLO）、输出过压/欠压保护、逐周期电流限制、断续模式过流保护以及热关断功能。当发生严重故障时，器件可进入打嗝模式，周期性尝试重启，防止持续损坏。
　　最后，该芯片设计注重EMI优化，支持可编程开关边沿速率控制，有助于降低电磁干扰，满足严格的工业和通信设备EMC要求。其小型QFN封装不仅节省PCB空间，还通过底部散热焊盘有效传导热量，提升热管理效率。

IR35411M广泛应用于对电源性能要求极高的领域。主要应用场景包括高性能计算平台中的CPU、GPU和AI加速器供电，特别是在数据中心和服务器主板上作为核心电压（Vcore）调节模块使用。由于其具备高精度调节和快速瞬态响应能力，非常适合应对现代处理器在空闲与满载之间频繁切换的工作负载模式。
　　在网络通信设备中，如路由器、交换机和基站处理单元，IR35411M用于为FPGA、DSP和网络处理器提供稳定可靠的低压大电流电源。其PMBus接口使得系统能够实时监控电源状态，实现智能电源管理和预测性维护。
　　在存储系统中，如SSD控制器和RAID阵列控制器，该芯片可用于构建高效能电源子系统，支持高速数据处理所需的低噪声电源轨。
　　此外，测试与测量仪器、工业自动化控制器以及高端嵌入式系统也常采用IR35411M来满足对电源纹波、效率和可靠性的严苛要求。
　　得益于其数字可编程特性和灵活配置能力，IR35411M还可用于需要现场升级或动态调整电源参数的应用场景，例如可重构计算系统或多模式运行设备。其高集成度和简化的设计流程也有助于缩短产品开发周期，加快上市时间。

ISL99227
　　TPS53647
　　MP2965