SB80W06T-P-TLH是一款由Vishay Semiconductor生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用表面贴装封装技术,专为高效率、高频率的电源转换应用而设计。该器件具有低正向电压降和快速开关特性,适用于需要高效能功率整流的场合。其封装形式为PowerPAK 8x8,具备良好的热性能,能够有效散热,从而提高系统可靠性。该二极管广泛应用于DC-DC转换器、开关模式电源(SMPS)、逆变器以及续流或箝位电路中。器件符合RoHS指令,并且不含卤素,满足现代绿色电子产品的环保要求。此外,该产品在设计上优化了电感和电阻参数,有助于减少电磁干扰(EMI)并提升整体系统效率。由于其高性能和紧凑型封装,SB80W06T-P-TLH适合用于空间受限但对功率密度要求较高的应用场景。
类型:肖特基二极管
配置:单个
反向耐压(VRRM):60V
平均整流电流(IO):80A
峰值浪涌电流(IFSM):300A
正向电压降(VF):典型值0.54V(在80A, 150°C条件下)
最大反向漏电流(IR):3.0mA(在150°C时)
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
热阻(RθJC):0.75°C/W
封装:PowerPAK 8x8
安装类型:表面贴装(SMD)
引脚数:2
极性:单路
SB80W06T-P-TLH的核心优势在于其卓越的导通性能与高效的热管理能力。该肖特基二极管采用了先进的沟道栅极技术(Trench MOS Schottky),有效降低了传统肖特基二极管中存在的反向漏电流问题,同时保持了极低的正向电压降。这种结构设计不仅提升了器件的能效,还增强了高温环境下的稳定性。在80A的大电流工作条件下,其典型正向压降仅为0.54V,显著减少了导通损耗,对于提高DC-DC转换器和开关电源的整体效率至关重要。
该器件的热阻(RθJC)仅为0.75°C/W,表明其从结到外壳的热传导效率非常高。结合PowerPAK 8x8封装的大面积铜焊盘设计,可以实现优异的散热性能,使器件在高负载下仍能维持较低的工作温度,从而延长使用寿命并提升系统可靠性。此外,该封装支持自动化贴片生产,适合大规模制造应用。
SB80W06T-P-TLH具备出色的动态响应能力,反向恢复时间极短,几乎无反向恢复电荷(Qrr),这使其在高频开关电路中表现出色,可大幅降低开关损耗并抑制电压尖峰。这一特性特别适用于现代高频率、高效率的电源拓扑结构,如同步整流、有源箝位等。同时,其低寄生电感和电容设计进一步优化了高频性能,有助于减少电磁干扰(EMI),简化滤波电路设计。
该器件可在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定工作,适应严苛的工业和汽车级应用环境。其高浪涌电流承受能力(300A)确保在瞬态过载或启动过程中仍能安全运行。此外,产品通过AEC-Q101认证的可能性较高,适合用于车载电源系统。总体而言,SB80W06T-P-TLH是一款集高性能、高可靠性和环保特性于一体的先进功率肖特基二极管,适用于高端电源管理系统。
SB80W06T-P-TLH主要应用于需要高电流、高效率整流的电源系统中。典型应用包括服务器电源、通信电源模块、工业用DC-DC转换器以及太阳能逆变器等。其低正向压降和快速响应特性使其成为同步整流电路中的理想选择,尤其是在低压大电流输出的开关电源中,能够显著提升转换效率。此外,该器件也常用于电池充电系统、电机驱动器中的续流二极管,以及各类高频开关电源(SMPS)中作为输出整流元件。在新能源汽车和充电桩的辅助电源单元中,该二极管同样展现出良好的适用性。由于其表面贴装封装和优良的热性能,它也被广泛用于高功率密度的板级电源设计中,支持紧凑化和轻量化的产品发展趋势。
SB80W06TPB-TLH
SD80W06T-P-TLH
MBRD8060CT