时间：2025/9/14 9:49:02
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BUK9K25-40RAX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力。其封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8），这种封装形式具有良好的热性能和电流承载能力，同时减少了封装尺寸，适用于空间受限的设计。BUK9K25-40RAX广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25°C：25A
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：最大值为13.5mΩ
导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：最大值为19mΩ
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
BUK9K25-40RAX是一款高性能功率MOSFET，具备多项优异的电气和热特性。其低导通电阻（RDS(on)）是该器件的主要优势之一。在VGS=10V时，RDS(on)最大仅为13.5mΩ，而在VGS=4.5V时，RDS(on)最大为19mΩ。这种低导通电阻可以显著降低导通损耗，提高电源转换效率，适用于高频率开关应用。该器件的漏极电流能力高达25A，能够在高负载条件下稳定工作。
BUK9K25-40RAX采用LFPAK56（Power-SO8）封装技术，该封装不仅具有优良的热管理性能，还能提供更高的电流承载能力和更低的封装电感。LFPAK56封装还具有出色的焊接可靠性和易于自动装配的特点，适用于现代自动化生产流程。此外，该封装支持双面散热，有助于提高整体系统的热稳定性。
该MOSFET具有宽泛的工作温度范围，从-55°C到175°C，使其能够在极端环境条件下（如高温或低温）可靠运行。这使其适用于汽车电子、工业控制等对可靠性要求较高的应用场景。
此外，BUK9K25-40RAX具备较高的栅极电压容限，栅源电压可达±20V，这为设计者提供了更大的灵活性，并增强了器件在瞬态电压条件下的稳定性。同时，该器件的快速开关特性有助于降低开关损耗，提高整体系统的能效。
综上所述，BUK9K25-40RAX是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于各种高效率、高频率的电源转换和功率控制应用。
BUK9K25-40RAX广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制以及电池管理系统。在DC-DC转换器中，该器件可用于高侧或低侧开关，提供高效的能量转换；在电机控制应用中，它可以作为H桥电路的一部分，实现对电机的精确控制；在电池管理系统中，BUK9K25-40RAX可用于电池充放电路径的控制与保护。此外，该器件也适用于服务器电源、电信设备电源、LED照明驱动器等对效率和空间要求较高的应用场合。
IRF3205, BUK9K50-40RAX, BUK9K18-40RAX
