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SB550-T 发布时间 时间:2025/12/26 12:23:02 查看 阅读:11

SB550-T是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用SMA封装,适用于表面贴装技术。该器件专为高效率、低电压应用而设计,凭借其低正向电压降和快速开关特性,在电源管理、DC-DC转换器以及逆变电路中广泛应用。SB550-T的额定平均正向整流电流为5A,最大重复峰值反向电压为50V,使其适合用于低压大电流的整流场合。该二极管具有优良的热稳定性和可靠性,能够在较高的环境温度下持续工作,满足工业级和消费类电子产品的严苛要求。此外,SB550-T符合RoHS环保标准,无铅且绿色环保,适用于现代电子产品对环保和能效的双重需求。其紧凑的SMA封装形式有助于节省PCB空间,便于在高密度电路板上布局,广泛应用于适配器、充电器、电源模块、LED驱动电源等场景。

参数

类型:肖特基二极管
  封装/外壳:SMA(DO-214AC)
  极性:单个二极管
  平均整流电流(Io):5A
  最大重复峰值反向电压(VRRM):50V
  最大直流阻断电压(VR):50V
  最大正向电压降(VF)@ IF=5A:600mV 典型值,850mV 最大值
  最大反向漏电流(IR)@ VR=50V, Ta=25°C:0.4mA
  工作结温范围(Tj):-65°C 至 +125°C
  储存温度范围(Tstg):-65°C 至 +150°C
  热阻(RθJA):约 60°C/W
  安装类型:表面贴装
  引脚数:2

特性

SB550-T的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种结构使得它相比传统PN结二极管具有更低的正向导通压降和更快的开关响应速度。在5A的工作电流下,其典型正向压降仅为600mV,最大不超过850mV,显著降低了导通损耗,提高了电源系统的整体效率。这对于电池供电设备或需要高效能量转换的应用尤为重要,如便携式电子设备、太阳能充电系统和高频开关电源。由于没有少子存储效应,SB550-T在关断时几乎没有反向恢复时间(trr),有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),提升了系统稳定性。
  该器件具备良好的热性能,其SMA封装具有较高的散热效率,能够在有限的空间内有效传导热量。结合-65°C至+125°C的工作结温范围,SB550-T可在高温环境下可靠运行,适用于汽车电子、工业控制等对温度适应性要求较高的领域。同时,其反向漏电流在常温下仅为0.4mA(在50V反向电压下),虽然随着温度升高会有所增加,但仍处于可接受范围内,确保了在不同工况下的稳定性能。
  SB550-T的机械结构坚固,采用模压塑料封装,内部引线键合工艺成熟,具有良好的抗振动和抗冲击能力。其符合JESD-30和JESD-201等标准,具备优良的潮湿敏感度等级(MSL),通常为Level 1,意味着在开封后可长时间暴露于空气中而不影响焊接质量,便于自动化贴片生产。此外,该器件通过AEC-Q101认证的可能性较高(需查证具体批次),进一步增强了其在汽车电子应用中的可靠性。

应用

SB550-T广泛应用于各类需要高效整流和低功耗设计的电子系统中。在AC-DC和DC-DC电源转换器中,它常被用作次级侧整流二极管,尤其是在同步整流不适用或成本受限的设计中,SB550-T凭借其低VF特性可显著提升转换效率。在便携式设备如笔记本电脑、平板充电器和手机快充适配器中,该二极管有助于减小发热,延长电池续航时间。在LED照明驱动电源中,SB550-T可用于输出整流环节,确保稳定的直流输出并减少能量损耗。
  在太阳能光伏系统中,SB550-T可用作防反接二极管,防止电池在夜间或阴天时反向放电,保护系统安全。其快速响应特性也使其适用于高频逆变器和UPS不间断电源系统,能够有效应对快速变化的负载条件。此外,在电机驱动、电瓶充电器和DC电源分配网络中,SB550-T也扮演着关键角色,提供可靠的单向电流控制。
  由于其表面贴装封装形式,SB550-T非常适合自动化大规模生产,广泛用于通信设备、消费类电子产品、工业电源模块以及车载电子系统。在需要紧凑设计和高功率密度的应用中,该器件的高电流承载能力和小型化封装使其成为理想选择。

替代型号

[
   "SR550",
   "SB550",
   "MBR550",
   "SS54",
   "DSK55-0050A"
  ]

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SB550-T参数

  • 标准包装1,200
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)50V
  • 电流 - 平均整流 (Io)5A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)670mV @ 5A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500µA @ 50V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-201AD,轴向
  • 供应商设备封装DO-201AD
  • 包装带卷 (TR)