SB2035 时间：2025/8/13 19:00:32 阅读：20

SB2035是一款双路功率MOSFET驱动器集成电路，专为高性能电源转换应用而设计。该器件集成了高边和低边驱动器，适用于同步整流、DC-DC转换器、电机驱动和开关电源等应用。SB2035采用高压工艺制造，具备较强的抗干扰能力和稳定性，能够在恶劣的工业环境中可靠运行。

参数

类型：MOSFET驱动器
　　电源电压范围：10V至30V
　　输出电流：±1.5A（典型值）
　　高边浮动电压：最高可达600V
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　封装形式：DIP-8、SOP-8
　　驱动能力：高边/低边双通道输出
　　传播延迟：约100ns（典型值）

特性

SB2035具备多项优良特性，使其在电源管理领域中表现出色。首先，它采用了自举浮动电源技术，使得高边驱动器能够在高压环境中正常工作，适用于多种拓扑结构如半桥和全桥电路。其次，该器件具有较高的输出驱动能力，能够快速驱动大功率MOSFET，降低开关损耗并提高系统效率。
　　此外，SB2035内置欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止MOSFET在非饱和区工作而导致过热或损坏。其输入信号兼容CMOS和LSTTL电平，便于与各种控制器连接。同时，该驱动器具备良好的抗干扰能力，能够有效抑制高频噪声，确保驱动信号的稳定性和可靠性。
　　在封装方面，SB2035提供DIP-8和SOP-8两种封装形式，适应不同PCB布局需求，尤其适合空间受限的设计。其宽工作温度范围（-40°C至+125°C）也使其适用于工业和车载环境。

应用

SB2035广泛应用于各种高功率、高频率的电源系统中。常见应用包括同步整流DC-DC转换器、电机控制电路、工业电源、UPS不间断电源、LED驱动器以及各种基于MOSFET的开关电源系统。在电机驱动应用中，SB2035可以高效驱动H桥电路，实现正反转控制。在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电模块中，SB2035也常用于功率开关的驱动控制。