SB20-05P-TD 时间：2025/9/21 12:09:36 阅读：13

SB20-05P-TD是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用表面贴装封装形式，专为高效率、高频整流应用而设计。该器件由两个独立的肖特基二极管组成，配置为共阴极对（Common Cathode Pair），适用于需要紧凑布局和低功耗损耗的电源转换电路中。SB20-05P-TD的额定平均正向整流电流为2.0A，最大重复峰值反向电压为50V，适用于低压直流电源系统中的续流、防反接以及反向电压保护等场景。其低正向导通压降和快速开关特性使其在开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器及极性保护电路中表现出色。该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-Free）和符合工业级可靠性要求的特点。封装形式为SMA（DO-214AC），便于自动化贴片生产，适合现代小型化电子产品的需求。

参数

类型：双肖特基二极管
　　配置：共阴极对
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：50V
　　最大直流阻断电压（VR）：50V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：2.0A（单个二极管）
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：60A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压（VF）：0.57V @ 1.0A, 25°C（典型值）；0.93V @ 2.0A, 25°C（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：0.4mA @ 50V, 25°C；10mA @ 50V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装：SMA（DO-214AC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

SB20-05P-TD的核心特性之一是其低正向导通压降，这显著降低了功率损耗并提高了整体能效。在2.0A的工作电流下，其最大正向压降仅为0.93V，远低于传统PN结二极管（通常在1.0V以上）。这种低VF特性使得该器件非常适合用于对热性能敏感的应用场景，如便携式设备和高密度电源模块。此外，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，因此不存在少数载流子存储效应，从而实现了极快的反向恢复时间（trr < 5ns），几乎可以忽略不计。这一特性极大减少了开关过程中的能量损耗，避免了因反向恢复电流引起的电磁干扰（EMI）问题，在高频开关电源中尤为关键。
　　该器件采用双二极管共阴极结构，允许在一个紧凑封装内实现两个独立的整流或续流功能，节省PCB空间的同时简化了布线复杂度。SMA封装具有良好的散热性能，结合低内部热阻（RθJA约60°C/W），有助于将热量有效传导至PCB焊盘，从而提升长期运行的可靠性。SB20-05P-TD还具备优异的反向击穿稳定性与瞬态过压承受能力，可在恶劣电气环境中保持稳定工作。其制造工艺遵循严格的品质控制流程，确保批次一致性与长期可靠性。器件通过AEC-Q101汽车级认证的可能性较高，适用于工业控制、消费电子、通信设备乃至部分车载电源系统。

应用

SB20-05P-TD广泛应用于各类需要高效、高频整流的电源电路中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流环节，尤其是在低压大电流输出拓扑（如同步降压变换器的续流路径）中替代传统快恢复二极管以提升效率。它也常用于DC-DC转换器中作为续流二极管或防止反向电流回流的隔离元件。在电池供电设备中，该器件可用于实现输入极性反接保护，防止因错误连接导致系统损坏。此外，在逆变器、UPS不间断电源、LED驱动电源以及适配器等产品中，SB20-05P-TD凭借其快速响应和低损耗特性，能够有效提升系统效率并降低温升。由于其表面贴装封装形式，特别适合自动化生产线使用，广泛见于智能手机充电器、笔记本电脑电源板、路由器电源模块以及其他小型化电子产品中。在工业控制系统中，也可用于信号整流或钳位保护电路。其高可靠性和宽温度工作范围使其适应严苛环境下的长期运行需求。