类型：肖特基二极管
　　封装：SOD-323
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　平均整流电流（IO）：300mA
　　正向压降（VF）：最大0.5V @ 300mA, 典型0.38V @ 300mA
　　反向漏电流（IR）：最大500μA @ 25°C, 最大5000μA @ 125°C
　　反向恢复时间（trr）：< 1ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约450°C/W

SB130-T的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这一设计使其在低电压整流应用中表现出卓越的能效性能。传统的硅PN结二极管在导通时会产生约0.7V的正向压降，而SB130-T的正向压降典型值仅为0.38V，在300mA负载下可显著降低功率损耗，提高系统整体效率。这对于电池供电设备尤为重要，因为更低的压降意味着更少的能量以热量形式耗散，从而延长电池续航时间并减少散热需求。此外，由于其正向压降较低，SB130-T在低压DC-DC转换电路中可有效减少电压损失，确保输出电压更加稳定。
　　另一个关键特性是其超快的反向恢复时间（trr < 1ns）。由于肖特基二极管依靠多数载流子导电，不存在少数载流子的复合过程，因此在从导通状态切换到截止状态时几乎没有反向恢复电荷。这一特性使得SB130-T在高频开关电路中表现优异，例如在开关模式电源（SMPS）、同步整流辅助电路和高频逆变器中，能够有效减少开关噪声和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。相比之下，普通整流二极管在高频下会因较长的反向恢复时间产生较大的开关损耗和振铃现象，限制其在高频应用中的使用。
　　SB130-T还具备良好的温度稳定性。虽然肖特基二极管的反向漏电流随温度升高而增加，但SB130-T在设计上优化了漏电流特性，在125°C高温下最大漏电流仍控制在5000μA以内，确保在高温环境下仍能可靠工作。同时，其-55°C至+125°C的工作结温范围覆盖了绝大多数工业和消费类应用场景。SOD-323封装不仅体积小（典型尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 1.1mm），还具有良好的散热性能和机械强度，适合回流焊工艺，适用于自动化生产线。此外，该器件通过了多项国际可靠性认证，符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对绿色环保和高可靠性的双重需求。

SB130-T广泛应用于各类需要小电流、低电压、高效率整流的电子系统中。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备，SB130-T常被用于电池充放电管理电路中的防反接保护和续流二极管，利用其低正向压降减少能量损耗，提升能效。在DC-DC转换器中，尤其是在升压（Boost）和降压-升压（Buck-Boost）拓扑结构中，SB130-T作为输出整流二极管，能够有效降低导通损耗，提高转换效率，尤其适用于输入电压较低的应用场景。
　　在电源适配器和AC-DC电源模块中，SB130-T可用于次级侧的同步整流辅助电路或反馈回路中的钳位二极管，抑制电压尖峰，保护主控芯片。在LED驱动电路中，它可作为防倒灌二极管，防止电流反向流动导致LED损坏。此外，在工业控制和自动化设备中，SB130-T常用于继电器驱动电路的续流二极管，吸收线圈断电时产生的反电动势，保护驱动晶体管免受高压击穿。
　　通信设备和网络模块也是SB130-T的重要应用领域。在以太网供电（PoE）模块、光模块电源管理和信号隔离电路中，其高频响应能力和低噪声特性有助于提升信号完整性。在嵌入式系统和微控制器单元（MCU）外围电路中，SB130-T可用于电源轨之间的隔离，防止不同电压域相互干扰。此外，该器件也适用于USB接口的电源保护、传感器供电电路和小型电机驱动电路中的续流与箝位功能。得益于其小型化封装和高可靠性，SB130-T特别适合空间受限且对稳定性要求较高的应用场景。

1N5819WS-7-F
　　MBR0530T1G
　　BAS40-03LT1G
　　PMES230SN
　　SK13BL