SB10100F 时间：2025/8/15 4:55:14 阅读：36

SB10100F 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的高效能、高电压 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器以及各种工业控制设备。SB10100F 采用先进的 Power MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，能够在高频率下稳定工作，同时减少开关损耗。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 8.5mΩ（在 VGS=10V）
　　功耗（PD）：300W
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

SB10100F 的核心优势在于其卓越的电气性能和热稳定性。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中最小的功率损耗，从而提高了整体效率并减少了散热需求。该器件的高耐压能力（100V VDS）使其适用于多种中高压电源转换应用。此外，SB10100F 具有出色的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了在极端工作条件下的可靠性。
　　SB10100F 采用 TO-247 封装，具备良好的热管理和机械稳定性，适合在高功率密度设计中使用。其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频操作环境，如同步整流、电机控制和电源管理模块。此外，该器件还具备高 dv/dt 耐受能力，能够有效防止电压突变引起的误触发问题。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，便于集成到不同类型的功率系统中。此外，其封装设计便于安装散热片，进一步提升散热效率，确保长时间高负载运行的稳定性。

应用

SB10100F 主要应用于各类高功率和高效率的电源系统中。其典型应用包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、工业自动化设备、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及电动车充电系统等。在这些应用中，SB10100F 能够提供高效的功率控制，同时保持良好的热管理和稳定性，适用于对性能和可靠性要求较高的工业和汽车电子系统。