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SB3150 发布时间 时间:2025/6/3 20:43:39 查看 阅读:3

SB3150是一种由Siliconix(现为Vishay品牌的一部分)生产的N沟道功率MOSFET晶体管。该器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用中,其设计特点是具备低导通电阻(Rds(on))以减少功率损耗,同时提供较高的电流处理能力和快速的开关速度。
  SB3150采用了TO-220封装形式,这使其非常适合需要散热性能的应用场景。此外,它支持高频率操作,并能承受一定的电压峰值,是许多电力电子系统中的关键元器件。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻:3.9mΩ
  总功耗:180W
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

SB3150具有非常低的导通电阻(Rds(on)),仅为3.9毫欧姆,这使得它在大电流应用中能够显著降低功率损耗并提高效率。同时,该器件的高电流承载能力(48A)确保了其在高强度电力环境下的稳定性。
  另外,SB3150还拥有较快的开关速度,有助于减少开关损耗并提升整体系统的动态性能。结合其良好的热稳定性和可靠性,这种MOSFET非常适合于要求高性能和高效能的工业及消费类电子产品之中。
  此外,SB3150符合RoHS标准,这意味着它在材料选择上避免使用有害物质,从而更加环保。

应用

SB3150广泛应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
  - 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器
  - DC-DC转换器,用于电信设备或汽车电子
  - 电机控制,例如家用电器中的风扇或泵控制
  - 电池管理,涉及电动汽车或不间断电源(UPS)系统
  - 各种负载开关应用场景
  凭借其卓越的电气特性和物理性能,SB3150成为工程师们在设计这些产品时的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  STP55NF06L
  FDP55N06L

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SB3150参数

  • 现有数量11,593现货
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)1,250 : ¥1.07006带盒(TB)
  • 系列-
  • 包装剪切带(CT)带盒(TB)
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)150 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)-
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)890 mV @ 3 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1 mA @ 150 V
  • 不同?Vr、F 时电容200pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-201AD,轴向
  • 供应商器件封装DO-201AD
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C