SB02W03C-TA 时间：2025/9/20 13:07:11 阅读：11

SB02W03C-TA是一款由Semitrans公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，能够在较高的频率下高效运行。其封装形式为SOT-23（Small Outline Transistor），属于小型表面贴装封装，适合对空间要求严格的便携式电子设备，如智能手机、可穿戴设备、物联网终端和电池供电系统等。由于其体积小、性能稳定，SB02W03C-TA在消费类电子产品中被大量使用。
　　该MOSFET的工作电压等级适中，适用于低电压控制应用，尤其适合与逻辑电平信号直接接口的场合，无需额外的电平转换电路。它具备良好的抗静电能力（ESD保护）和可靠的长期工作稳定性，在工业级温度范围内（-55°C至+150°C）均能保持优异的电气性能。此外，SB02W03C-TA符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对绿色制造的要求。作为一款性价比高的通用型小功率MOSFET，它在替代传统晶体三极管或继电器方面表现出色，有助于提高系统效率并减小整体尺寸。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：2.3A
　　脉冲漏极电流（IDM）：9.2A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：45mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：35mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：510pF @ VDS=15V
　　反向传输电容（Crss）：80pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：130pF @ VDS=15V
　　栅极电荷（Qg）：6.5nC @ VGS=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：15ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOT-23

特性

SB02W03C-TA采用高性能沟槽型MOSFET工艺设计，具备极低的导通电阻，这使其在导通状态下功耗显著降低，从而提升整个系统的能效。其RDS(on)在VGS=4.5V时仅为45mΩ，意味着即使在低驱动电压条件下也能实现高效的电流传导，特别适合由3.3V或5V逻辑控制器直接驱动的应用环境。这种低阈值电压和低驱动需求的组合使得它非常适合用于电池供电设备中的开关控制，有效延长了设备的续航时间。
　　该器件具有出色的开关特性，包括快速的开启和关断响应时间，能够支持高频PWM调制操作，适用于DC-DC升压/降压变换器、同步整流电路以及LED恒流驱动等需要快速切换的场合。同时，较低的栅极电荷（Qg = 6.5nC）减少了驱动电路所需的能量，进一步降低了驱动损耗，并允许使用更简单的驱动芯片或微控制器GPIO口直接控制。
　　SB02W03C-TA还具备优良的热性能，尽管封装小巧，但通过优化芯片结构和封装材料，实现了良好的散热能力，确保在持续负载下仍能维持稳定工作。其最大结温可达150°C，具备较强的过载耐受能力。此外，内部寄生二极管具有一定的反向恢复能力，可在感性负载中断时提供安全泄放路径，保护主电路免受电压尖峰冲击。
　　该MOSFET具有较强的抗干扰能力和可靠性，在高温、高湿及振动环境下仍能保持稳定的电气参数。产品经过严格的质量测试，符合国际标准认证，适用于工业、消费类及部分汽车电子外围电路。由于其高度集成化和标准化设计，SB02W03C-TA易于替换和批量生产，是现代小型化电子产品中理想的功率开关元件之一。