SB02-03C-TB-E是一款由Semtech公司生产的静电放电(ESD)保护二极管阵列,专为高速数据接口和敏感电子元件提供可靠的瞬态电压保护。该器件属于Semtech的SurgeBloc系列,设计用于防护因静电放电、雷击感应或其它电气过应力事件引起的瞬态电压冲击。SB02-03C-TB-E采用多通道结构,通常集成两个或多个ESD保护二极管,适用于差分信号线路或单端信号线路的保护。其封装形式为小型化的SOT-23或DFN等表贴封装,适合在空间受限的便携式电子产品中使用。该器件具有低电容特性,确保对高速信号完整性的影响最小化,因此广泛应用于USB接口、HDMI端口、音频线路、传感器接口以及其他需要高可靠性ESD防护的场合。SB02-03C-TB-E工作温度范围宽,符合工业级标准,能够在-40°C至+85°C甚至更高温度环境下稳定运行。此外,该器件符合RoHS环保要求,并通过了IEC 61000-4-2 Level 4(接触放电±8kV,空气放电±15kV)等国际电磁兼容性标准认证,具备优异的抗干扰能力和长期稳定性。由于其出色的响应速度(通常小于1纳秒),SB02-03C-TB-E能在瞬态过压发生的瞬间迅速导通,将有害能量泄放到地,从而有效保护后端IC不受损坏。
器件型号:SB02-03C-TB-E
制造商:Semtech
产品系列:SurgeBloc
通道数:2
工作电压(VRWM):3.3V
击穿电压(VBR):典型值4.5V
最大箝位电压(VC):10V @ IPP = 1A
峰值脉冲电流(IPP):1A(8/20μs波形)
寄生电容(Cj):每通道典型值3pF
封装类型:SOT-23-6L
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
存储温度范围:-55°C 至 +125°C
ESD耐受能力:±15kV(空气放电),符合IEC 61000-4-2 Level 4
反向漏电流(IR):小于1μA @ VRWM
SB02-03C-TB-E的核心特性之一是其超低结电容设计,每个通道的典型电容仅为3pF,这一特性使其非常适合用于保护高速数据线路,例如USB 2.0、HDMI、DisplayPort以及各种串行通信接口。低电容意味着信号在传输过程中受到的衰减和失真更小,能够保持良好的信号完整性,避免数据误码或通信中断。这对于现代消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备至关重要。
另一个关键特性是其快速响应能力。SB02-03C-TB-E的响应时间小于1纳秒,在静电放电事件发生时能立即进入导通状态,将瞬态高压引导至地线,防止其传递到敏感的下游集成电路。这种快速动作机制对于保护CMOS工艺制造的微处理器、ASIC和传感器尤为关键,因为这些器件通常对过压极为敏感。
该器件还具备良好的热稳定性和功率耗散能力。虽然作为TVS二极管不用于持续功率处理,但在短时脉冲条件下,它能承受高达1A的峰值脉冲电流(基于8/20μs测试波形),并在短时间内安全地将能量释放。这使得SB02-03C-TB-E不仅适用于日常ESD防护,也能应对一定程度的雷击感应或电源耦合瞬变。
此外,SB02-03C-TB-E采用双向保护结构,允许其在正负方向的过压事件中均能提供有效保护,特别适合交流信号或差分信号路径的应用场景。其SOT-23-6L封装小巧紧凑,便于在PCB布局中集成,同时支持自动化贴片生产,提升了制造效率和一致性。整体而言,SB02-03C-TB-E是一款高性能、高可靠性的ESD保护解决方案,兼顾了电气性能、物理尺寸与环境适应性。
SB02-03C-TB-E广泛应用于各类需要高等级静电放电防护的电子系统中。在消费电子领域,常用于USB Type-A、Type-C接口的数据线保护,防止用户插拔过程中产生的静电损坏主控芯片。它也适用于耳机插孔、麦克风输入、触摸屏控制器信号线等易受人体接触ESD影响的节点。
在通信设备中,该器件可用于以太网PHY接口、RS-232/RS-485收发器、CAN总线等工业通信链路的前端保护,提升系统的电磁兼容性和现场稳定性。在便携式医疗设备中,如血糖仪、心率监测器等,SB02-03C-TB-E可保护传感器模拟前端免受操作人员带来的静电干扰,确保测量精度和设备安全性。
汽车电子也是一个重要应用方向,尤其是在车载信息娱乐系统、USB充电端口和车内摄像头连接器中,SB02-03C-TB-E能够抵御车辆内部复杂电磁环境下的瞬态干扰。此外,在工业控制面板、人机界面(HMI)、智能家居控制模块中,该器件也为按钮、旋钮和无线模块提供了有效的ESD屏障。
由于其符合AEC-Q101车规级可靠性标准(视具体批次而定),SB02-03C-TB-E也被考虑用于部分车载非动力系统。总的来说,任何存在高速信号传输且暴露于外部环境的接口,都是SB02-03C-TB-E的理想应用场景。