您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SQCB2M301JATME

SQCB2M301JATME 发布时间 时间:2025/5/29 14:19:26 查看 阅读:12

SQCB2M301JATME 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT),由一家领先的半导体公司生产。该器件采用先进的封装技术,适用于高频和高功率应用领域。其设计旨在提供卓越的开关性能、低导通电阻和快速开关速度,能够显著提升电力转换系统的效率和功率密度。
  该器件广泛应用于工业、汽车和通信设备中,例如 DC-DC 转换器、电机驱动器以及电信基础设施中的功率放大器等场景。

参数

类型:增强型 GaN HEMT
  额定电压:650 V
  额定电流:150 A
  导通电阻:16 mΩ
  栅极电荷:70 nC
  反向恢复时间:无(由于 GaN 的特性)
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247-4

特性

SQCB2M301JATME 拥有以下显著特性:
  1. 高效的开关性能,使其在高频应用中表现出色。
  2. 极低的导通电阻,。
  3. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,确保器件在极端条件下的可靠性。
  4. 快速开关速度,减少了死区时间和能量损失。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代工业需求。
  6. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。

应用

该器件主要应用于以下领域:
  1. 高频 DC-DC 转换器,用于服务器、通信基站等高功率场景。
  2. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器及逆变器。
  3. 工业电机驱动器,为高效节能的工业自动化提供支持。
  4. 太阳能逆变器,助力可再生能源发电系统的效率提升。
  5. 电源适配器和快充解决方案,满足消费类电子产品的需求。

替代型号

SQCB2M301DATME, SQCB2M201JATME

SQCB2M301JATME推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SQCB2M301JATME参数

  • 产品培训模块Component Solutions for Smart Meter Applications
  • 标准包装2,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列SQ
  • 电容300pF
  • 电压 - 额定200V
  • 容差±5%
  • 温度系数M
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 175°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳1111(2828 公制)
  • 尺寸/尺寸0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.102"(2.59mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-