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SAYFH733MBA0F0A 发布时间 时间:2025/5/10 10:00:45 查看 阅读:19

SAYFH733MBA0F0A是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效提升电路效率并降低能耗。
  这款芯片特别适用于需要高效能和高可靠性的应用场合,例如消费电子、工业控制和汽车电子等领域。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):38A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):70nC(典型值)
  输入电容(Ciss):1900pF(典型值)
  总功耗(Ptot):170W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃

特性

SAYFH733MBA0F0A的主要特点是其卓越的电气性能和可靠性:
  1. 极低的导通电阻(2.5mΩ),可显著减少导通损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 具备强大的电流承载能力,最大支持38A连续漏极电流。
  4. 内置ESD保护功能,增强芯片抗静电能力。
  5. 紧凑的封装设计,节省PCB空间,同时具备良好的散热性能。
  6. 工作温度范围宽广(-55℃至+175℃),适应多种恶劣环境条件。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路中的功率级开关。
  3. DC-DC转换器中的高频开关元件。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的功率管理单元,如电动助力转向系统、刹车系统等。

替代型号

SAYFH733MBB0F0A, IRF7844, FDP5500

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