时间：2025/4/28 14:13:20
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SAWEN881MCM2F00R14是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效能应用设计。该型号由知名半导体制造商生产，广泛应用于射频功率放大器、无线通信设备及雷达系统等领域。其核心优势在于卓越的开关速度和低导通电阻特性，使其在高频场景中表现出色。
该器件采用先进的封装工艺，能够在高温环境下保持稳定运行，并提供较高的电流密度和较低的热阻。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：14A
导通电阻：5mΩ
栅极电荷：35nC
开关频率：高达200MHz
热阻：1°C/W
封装形式：TO-247-4L
1. 高效的开关性能，能够显著降低能量损耗。
2. 超低导通电阻，减少传导损耗并提升整体效率。
3. 快速开关速度，适用于高频应用场景。
4. 先进的散热设计，确保长时间稳定工作。
5. 内置ESD保护功能，提高系统的可靠性。
6. 支持高电流输出，满足大功率需求。
7. 宽禁带材料（如GaN）的应用，提供更高的击穿电压和更低的损耗。
1. 射频功率放大器设计，用于基站和其他通信设备。
2. 工业加热设备中的高频电源模块。
3. 雷达系统中的功率放大单元。
4. 医疗设备中的高频发生器。
5. 高效DC-DC转换器的核心元件。
6. 新能源汽车中的车载充电器和逆变器组件。
7. 大功率LED驱动电路设计。
SAWEN881MCM2F00R10, SAWEN881MCM2F00R12, SAWEN881MCM2F00R16
