制造商：Murata
　　产品系列：SAWEN
　　中心频率：881.0 MHz
　　频率容差：±50 ppm
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　负载电容：无
　　激励功率：10 μW 典型值
　　封装类型：陶瓷表面贴装
　　尺寸：约 2.0 mm × 1.2 mm × 0.3 mm
　　引脚数：2
　　老化率：≤ ±5 ppm/年
　　等效串联电阻（ESR）：典型值 25 Ω
　　Q 值：≥ 10,000
　　相位噪声：-130 dBc/Hz @ 10 kHz 偏移（典型）
　　谐振模式：厚度剪切模态
　　基板材料：石英或锂钽酸盐（LiTaO?）
　　屏蔽类型：金属盖密封陶瓷基座
　　湿度敏感等级（MSL）：1 级（260°C 回流焊兼容）

SAWEN881MBNOF00R14 具备优异的频率稳定性和极低的相位噪声表现，这使其成为高性能射频系统中的关键元件。其核心工作原理基于表面声波在压电晶体上的传播特性，当施加交变电压时，叉指换能器（IDT）激发机械波沿材料表面传播，反射结构将部分能量反馈形成共振。这种机制赋予了器件非常高的品质因数（Q 值），通常可达到 10,000 以上，远高于传统的 LC 振荡器，从而显著提升系统的选频能力和抗干扰性能。
　　该器件在全工作温度范围内表现出良好的热稳定性，频率随温度变化曲线平滑且可预测，便于进行温度补偿设计。其老化率控制在每年 ±5 ppm 以内，确保长时间运行下的频率精度不会显著漂移，这对于需要长期无人值守运行的远程通信设备尤为重要。此外，低激励功率要求（典型 10 μW）意味着它可以与低功耗振荡电路配合使用，有助于降低整体系统能耗，适用于电池供电或能量采集类应用。
　　机械结构方面，SAWEN881MBNOF00R14 采用全密封陶瓷封装，内部填充惰性气体或真空环境，有效防止湿气和污染物侵入，提高了可靠性。金属屏蔽层进一步增强了对外部电磁干扰的抑制能力，保证信号纯净度。小型化尺寸（2.0 × 1.2 × 0.3 mm）使其非常适合高密度 PCB 布局，尤其适用于智能手机、物联网终端和微型无线模块等空间受限的应用场景。
　　电气接口为双端子结构，无需外接负载电容，简化了外围电路设计。但由于其为无源器件，必须搭配合适的放大器和反馈网络构成完整的振荡回路。设计时需注意匹配阻抗和避免过驱动，以防引起频率牵引或加速老化。总体而言，该 SAW 谐振器结合了高频性能、紧凑体积和工业级可靠性，是现代射频设计中理想的频率基准解决方案之一。

SAWEN881MBNOF00R14 主要应用于对频率精度和稳定性要求较高的无线通信系统中。其典型用途包括各类 UHF 频段的射频收发器本振（LO）源，如卫星通信终端、专用移动无线电（PMR）、无线传感器网络节点以及工业遥控设备。在这些系统中，稳定的本地振荡信号对于实现准确的频率合成、上变频与下变频至关重要，而该 SAW 谐振器凭借其高 Q 值和低相位噪声特性，能够有效减少杂散发射并提高接收灵敏度。
　　此外，该器件也常用于 GPS 和 GNSS 接收机的辅助时钟源，尤其是在需要快速启动和高动态响应的定位模块中。虽然主时钟通常由 TCXO 或 OCXO 提供，但在某些低成本或低功耗架构中，SAW 谐振器可作为次级时钟基准用于唤醒电路或定时监控单元。
　　在物联网（IoT）领域，随着 LPWAN 技术（如 LoRa、Sigfox）的发展，越来越多的小型化无线节点需要在有限空间内集成高性能 RF 功能。SAWEN881MBNOF00R14 凭借其微型封装和优良的频率特性，成为构建此类设备的理想选择。同时，它也被用于汽车电子中的遥控无钥匙进入（RKE）系统、胎压监测系统（TPMS）以及车载传感器通信链路中，满足车规级环境下的可靠运行需求。
　　科研和测试仪器中也有应用，例如便携式频谱分析仪、信号发生器和射频识别（RFID）读写器等设备，利用其稳定的谐振频率作为参考信号源。总之，凡是在 881 MHz 左右需要高稳定性、小体积、低噪声频率元件的场合，SAWEN881MBNOF00R14 都是一个值得考虑的技术选项。

SAWEN881MBNOD00R14