时间：2025/4/27 16:08:38
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SAFFB2G60AA0F0A 是一款由 ON Semiconductor 提供的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用。该器件采用 TO-247 封装，适合高功率密度设计，具有低导通电阻和出色的热性能。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：15A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：85nC
功耗：135W
封装：TO-247
SAFFB2G60AA0F0A 具有以下主要特性：
1. 高击穿电压：能够承受高达 650V 的漏源电压，适用于高电压环境。
2. 低导通电阻：仅为 150mΩ，降低了传导损耗，提高了效率。
3. 快速开关能力：较小的栅极电荷确保了更快的开关速度，减少开关损耗。
4. 热稳定性：优化的封装设计和材料选择提供了良好的散热性能，延长了器件寿命。
5. 高可靠性：经过严格的质量控制流程，确保在恶劣环境下稳定运行。
这款 MOSFET 广泛应用于多种工业和消费类电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. 太阳能逆变器
4. 电池充电器
5. 不间断电源（UPS）系统
其高压和高效的特点使其成为许多高功率应用的理想选择。
SAFFB2G60AC0F0A, FGH60N65SMD, IRFB4030TRPBF
