时间：2025/7/11 15:19:52
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SAFFB1G82KA0F0A 是一款由安森美（onsemi）推出的高功率密度、低导通电阻的 N 沃尔特 MOSFET，采用 LFPAK56 封装形式。该器件主要针对汽车和工业应用设计，适用于驱动电机、负载切换以及 DC-DC 转换等场景。
LFPAK56 封装以其卓越的散热性能和坚固的结构而闻名，同时其铜夹技术可以显著降低寄生电感和电阻，从而提高整体效率和可靠性。这款 MOSFET 在高温环境下仍能保持出色的性能表现。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：38A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：79nC
开关速度：快速
封装类型：LFPAK56
工作温度范围：-55°C 至 175°C
SAFFB1G82KA0F0A 具有超低的导通电阻 (Rds(on)) 和优秀的热性能，这使得它在高电流应用中表现出较低的功耗和更高的效率。
此外，由于采用了先进的铜夹封装技术，该器件能够有效减少寄生电感，从而优化高频开关性能。
其宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 175°C) 让其非常适合恶劣环境下的应用，例如汽车引擎控制单元或工业自动化设备中的电源管理模块。
另外，该产品符合 AEC-Q101 标准，确保了其在汽车领域的可靠性和耐用性。
SAFFB1G82KA0F0A 广泛应用于需要高效功率转换和低损耗的场合，包括但不限于以下领域：
1. 汽车电子系统中的电机驱动和负载切换。
2. 工业自动化设备中的电源管理和保护电路。
3. 高效 DC-DC 转换器和逆变器。
4. 各种大电流开关应用，如 LED 驱动和电池管理系统。
5. 通信基础设施中的功率调节和分配。
SAFFB1G82KA0F0T
