时间：2025/12/28 20:42:59
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SA75CA A0G 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的热性能，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统等领域。SA75CA A0G采用先进的Trench MOSFET技术，确保了在高频率和高负载条件下的稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：最大4.5mΩ（在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：130W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220AB
SA75CA A0G具备多项优良特性，适用于高要求的功率电子应用。
首先，该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压下可低至4.5mΩ，这使得导通损耗显著降低，提高了系统的整体效率。对于需要高效率和低热量生成的应用，如服务器电源、电信电源系统和电动汽车充电设备，这一点尤为重要。
其次，SA75CA A0G的最大漏源电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高压功率转换拓扑结构。其±20V的栅极电压容限也增强了在复杂开关环境中的稳定性，降低了因栅极过压而导致器件损坏的风险。
此外，该器件的封装形式为TO-220AB，具备良好的散热性能和机械稳定性。TO-220封装广泛用于中高功率应用，便于安装在散热片上，确保在高负载条件下仍能维持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。
SA75CA A0G的额定连续漏极电流为18A，支持较高的电流承载能力，适合用于需要大电流输出的电源系统或电机驱动电路。同时，其130W的最大功耗设计确保了在高功率密度应用中的稳定运行。
最后，该MOSFET的工作温度范围为-55°C至+175°C，具有良好的温度适应性，适用于严苛环境下的工业、汽车和通信设备。
SA75CA A0G适用于广泛的功率电子应用。首先，在开关电源（SMPS）领域，它可用于主开关、同步整流器和功率因数校正（PFC）电路，以提高能效并减小电源体积。其次，在DC-DC转换器中，如升压（Boost）、降压（Buck）和反相（Flyback）拓扑结构中，该器件能够提供高效的能量转换，广泛应用于嵌入式系统、便携式设备和工业控制系统。此外，在电机控制和电动工具中，SA75CA A0G可作为功率开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可用于电池充放电管理，提供高效的开关控制。最后，在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电模块中，SA75CA A0G也能发挥重要作用，支持高可靠性和高效率的功率转换。
SiHF18N100DD-GE3, FQA18N100CL, STP18NF10
