型号：MA0402XR221K100
　　类型：增强型功率场效应晶体管 (eGaN FET)
　　材料：氮化镓 (GaN)
　　漏源击穿电压：650 V
　　连续漏极电流：8 A
　　导通电阻：22 mΩ
　　栅极电荷：30 nC
　　开关频率：高达 5 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

MA0402XR221K100 具备以下显著特性：
　　1. 高效开关性能：得益于 GaN 材料的独特优势，该器件可实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
　　2. 超低导通电阻：仅 22 mΩ 的 Rds(on)，确保了低功耗和高效率的操作。
　　3. 强大的耐压能力：650 V 的漏源击穿电压使其适用于多种高压应用场景。
　　4. 小尺寸封装：TO-252 (DPAK) 封装形式提供了紧凑的设计方案，节省了 PCB 空间。
　　5. 宽温范围支持：从 -55°C 到 +175°C 的工作温度范围，使其能够在极端环境下稳定运行。
　　6. 快速动态响应：由于其低栅极电荷和低输出电容，可以实现更高效的高频切换。
　　这些特性使得 MA0402XR221K100 在高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器、无线充电系统以及 LED 驱动电路中表现出色。

MA0402XR221K100 广泛应用于以下领域：
　　1. 电源管理系统：包括适配器、充电器和高效 DC/DC 转换器。
　　2. 通信设备：如基站功率放大器、射频前端模块等。
　　3. 工业自动化：例如电机驱动控制器、逆变器及 UPS 不间断电源。
　　4. 消费类电子产品：用于笔记本电脑充电器、手机快充以及无线充电器。
　　5. 能量存储解决方案：涉及太阳能逆变器、电池管理系统和其他能量回收装置。
　　凭借其优异的性能和可靠性，这款 GaN 功率晶体管成为众多现代电子产品的理想选择。

MA0402XR221K100A, MA0402XR221K100B