时间：2025/5/23 5:36:25
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GA0805A561GBCBR31G是一款基于硅工艺制造的高性能功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高效率电力电子应用。该芯片具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力的特点，适用于多种工业和消费类电子产品中。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：8.5A
导通电阻：0.12Ω
栅极电荷：35nC
开关频率：500kHz
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-220
GA0805A561GBCBR31G采用了先进的沟槽式MOSFET结构设计，有效降低了导通电阻，从而减少了功率损耗并提升了系统效率。
其高击穿电压确保了在高压环境下的稳定运行，同时快速的开关速度使得它能够在高频应用中表现出色。
此外，芯片内置了过温保护和过流保护功能，进一步增强了系统的可靠性与安全性。
由于其出色的热性能，该器件即使在极端工作条件下也能保持较低的工作温度。
这款功率MOSFET广泛应用于各类开关模式电源(SMPS)、逆变器、电动工具驱动电路、LED驱动器以及家电中的电机控制模块。
在汽车电子领域，它也适合用于电池管理系统(BMS)和车载充电器的设计。
另外，在工业自动化设备中，例如伺服驱动器和可编程逻辑控制器(PLC)，GA0805A561GBCBR31G同样能提供高效稳定的性能表现。
IRF840,
FQP18N65C,
STP80NF65,
IXYS-IXFR65N80T
