类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：80 V
　　集电极电流（IC）：100 mA
　　功耗（PD）：300 mW
　　频率（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据不同等级）
　　封装类型：SOT-23（表面贴装）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

SA58A B0G 具备多项优异的电气特性和封装优势，适用于广泛的电子设计应用场景。其主要特性包括：
　　1. 高频率响应：SA58A B0G 的过渡频率（fT）高达250 MHz，使其非常适合用于射频（RF）和高频放大电路。该特性确保了晶体管能够在较高的频率下保持良好的增益性能，满足通信设备、无线模块和射频前端电路的需求。
　　2. 高电流增益范围：该晶体管的电流增益（hFE）范围从110到800，提供多种等级选择，适合不同应用场景下的放大需求。例如，在低噪声前置放大器中可以选择高增益等级以提升信号强度，而在需要稳定工作的开关电路中则可以选择较低增益等级以确保可靠性。
　　3. 低噪声系数：SA58A B0G 在设计上优化了噪声性能，适合用于低噪声放大器（LNA）应用。这一特性使其在无线接收器、音频前置放大器等对噪声敏感的系统中表现出色。
　　4. 小型化封装：采用SOT-23封装形式，SA58A B0G 占用电路板空间小，适合现代电子设备中对空间要求较高的设计，如便携式电子产品、智能传感器和嵌入式系统。
　　5. 高可靠性与宽工作温度范围：该晶体管支持从-55°C到+150°C的工作温度范围，确保其在极端环境条件下仍能稳定运行。这一特性使其适用于工业控制、汽车电子和航空航天等高可靠性要求的应用领域。
　　6. 低功耗与高效率：SA58A B0G 的最大功耗为300 mW，在保证性能的同时具备较低的功耗，有助于提升系统的能效并减少散热设计的复杂性。

SA58A B0G 凭借其高频率响应、低噪声系数和小型化封装，广泛应用于多个电子系统领域。首先，在射频通信系统中，该晶体管常用于构建射频放大器、混频器和振荡器，尤其是在无线通信模块、Wi-Fi设备和蓝牙模块中表现优异。其次，在音频放大器应用中，SA58A B0G 适合作为前置放大器或低噪声放大器，能够有效提升音频信号的质量，广泛应用于音响设备、麦克风前置放大器和语音识别系统。此外，该晶体管也适用于开关电路和数字逻辑电路，常用于控制信号的放大和切换操作，例如在继电器驱动电路、LED驱动电路和微控制器外围电路中。在工业控制和自动化系统中，SA58A B0G 可用于传感器信号的放大和处理，支持高精度的数据采集和控制系统。由于其宽工作温度范围和高可靠性，该晶体管也适合在汽车电子系统中使用，例如车载娱乐系统、远程通信模块和传感器控制单元。最后，在消费类电子产品中，SA58A B0G 被用于各种小型化电子设备，如智能手机、可穿戴设备和智能家居控制器，满足这些设备对高性能和低功耗的需求。

BC847系列, 2N3904, MMBT3904, PN2222A