制造商：NXP Semiconductors
　　产品系列：SA5760x
　　晶体管类型：N-Channel LDMOS
　　工作频率范围：470MHz 至 862MHz
　　输出功率（典型值）：150W（连续波）
　　增益（典型值）：23dB @ 500MHz
　　漏极电压（Vd）：32V
　　漏极电流（Id）：3.5A（最大值）
　　输入驻波比（Input VSWR）：≤2.5:1
　　输出驻波比（Output VSWR）：可承受无限大（无限负载失配容限）
　　热阻（Rth-jc）：0.35°C/W
　　封装类型：Ceramic Flanged Package (SOT5049)
　　安装方式：通孔安装（Flange Mount）
　　工作结温范围：-40°C 至 +200°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

SA57607CDH的核心特性之一是其基于LDMOS工艺的高效率与高线性度结合能力。该器件在UHF频段内展现出卓越的功率附加效率（PAE），通常可达60%以上，这显著降低了电源功耗和散热需求，对于需要长时间连续运行的广播发射机尤为重要。其高增益特性减少了前级驱动级的设计复杂度，允许使用较小信号的激励源直接驱动，从而简化了整个射频链路的架构。此外，该器件具备出色的互调失真性能，在多载波或宽带数字调制信号环境下仍能维持较低的ACLR（邻道泄漏比），满足严格的电磁兼容性和频谱掩模要求。
　　另一个关键特性是其强大的热管理和可靠性设计。采用陶瓷封装不仅提供了优异的高频绝缘性能，还通过低热阻路径将芯片热量高效传导至外部散热器，有效控制结温上升。这种结构使得SA57607CDH在高温环境中依然保持稳定输出，延长了使用寿命并提升了系统可用性。器件内部集成的输入匹配网络经过精密优化，覆盖整个目标频段，避免了用户自行设计匹配电路所带来的不确定性，加快了产品开发周期。
　　SA57607CDH还具备出色的鲁棒性（ruggedness），能够承受极端的输出端负载失配条件，包括全反射状态（即开路或短路），不会造成永久性损伤。这一特性极大增强了系统在野外或无人值守站点中的运行安全性。此外，该器件对静电放电（ESD）具有较强的耐受能力，符合工业级防护标准，进一步提升了现场操作和维护过程中的安全性。所有这些特性共同使SA57607CDH成为现代高功率广播发射机中的理想选择。

SA57607CDH主要应用于地面数字电视广播发射系统，特别是在DVB-T、DVB-T2和ATSC标准的发射机中作为最终功率放大级的核心元件。它广泛用于城市主站发射塔、区域转播站以及单频网（SFN）节点设备中，支持高清视频内容的大范围覆盖传输。由于其宽频带工作能力和高输出功率，该器件也可用于模拟电视发射机升级项目，替换老旧的双极型晶体管或电子管方案，实现更高的能效和更低的维护成本。
　　除了广播电视领域，SA57607CDH还可用于专业无线通信基础设施，如公共安全通信系统、应急广播网络和专用移动无线电（PMR）基站。在这些应用中，其高可靠性和抗干扰能力确保了关键语音和数据服务的连续性。此外，该器件也适用于工业、科学和医疗（ISM）频段内的高功率射频源设计，例如等离子体生成、射频加热和材料处理设备。
　　在科研和测试设备方面，SA57607CDH可用于构建高功率射频信号发生器或放大模块，支持电磁兼容性（EMC）测试中的辐射抗扰度试验。其稳定的输出特性和宽泛的工作温度范围使其适应实验室和现场测试的不同环境条件。随着5G固定无线接入（FWA）和广电融合网络的发展，该类LDMOS功率晶体管仍在特定频段的定制化基站设计中发挥重要作用。

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