SA520176-00 是一款由 NXP(恩智浦)公司推出的高性能射频功率晶体管,主要用于射频放大器应用。该器件基于硅双极型晶体管(Si-BJT)技术,具备良好的高频性能和较高的输出功率,适用于无线通信基础设施、广播设备、工业和军事通信等领域。SA520176-00 是一款 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)晶体管,在射频放大器中提供了较高的效率和线性度。
工作频率范围:1.8 MHz - 60 MHz
最大输出功率:125 W
增益:约 25 dB
工作电压:+28 V
输入阻抗:50 Ω
输出阻抗:50 Ω
封装类型:TO-247
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
SA520176-00 具备出色的射频性能和稳定性,适用于中高频段的射频放大应用。其高输出功率和良好增益使其成为理想的宽带射频放大器元件。该器件采用了先进的硅双极型晶体管技术,具有较低的失真和较高的线性度,从而确保了在高功率输出下依然保持良好的信号质量。
此外,SA520176-00 的封装设计提供了良好的热管理和机械稳定性,能够在高温和高功率环境下稳定运行。该晶体管的高效率特性也降低了功耗,减少了散热需求,提高了系统的整体能效。
由于其宽带特性,SA520176-00 可以应用于多种射频系统,包括广播发射机、无线通信基站、测试设备和工业射频加热设备等。其可靠性和高性能使其成为射频工程师在高功率放大设计中的首选器件。
SA520176-00 广泛应用于各种射频功率放大器系统,特别是在无线通信和广播领域。例如,在 FM 广播发射机中,SA520176-00 可作为主功率放大器,提供高稳定性和高保真输出。在无线通信基站中,该晶体管可用于多载波放大器系统,支持多种通信标准,如 GSM、CDMA 和 LTE 等。
此外,SA520176-00 也可用于射频测试设备,如信号发生器和功率放大器模块,确保测试系统具有高精度和高可靠性。在工业和军事应用中,该器件可用于射频能量传输、雷达系统和通信中继设备,满足复杂环境下对高功率和高性能的需求。
MRF151G, BLF188X, RD16HHF1